先端材料理工学科４年足立隼也さん、高野悠太さん、松井虹輝さん、横田もなみさんが渡辺勝儀記念賞を受賞

令和６年３月２２日、先端材料理工学科4年の高野悠太さん、横田もなみさんが渡辺勝儀記念賞を受賞しました。同賞は、先端材料理工学科卒業論文発表会において優れた論文発表を行った者に授与されるものです。足立さんの卒業論文の題目は「イオン交換を用いたMg含有メソポーラスSiO₂へのPbイオン吸着とそれをホストにしたSiO₂-ペロブスカイト複合体の作製」です。高野さんの卒業論文の題目は「FZ法によるGaFeO₃単結晶育成と成長方位制御」です。松井さんの卒業論文の題目は「無水塩化アルミニウム-シアノグアニジン複合体からの窒化アルミニウムの合成」です。横田さんの卒業論文の題目は「(110)基板上へのSiGeの結晶成長時における表面形状の形成過程」です。