先端材料理工学科４年高野悠太さん、横田もなみさんが渡辺勝儀記念賞を受賞

令和６年３月２２日、先端材料理工学科4年の高野悠太さん、横田もなみさんが渡辺勝儀記念賞を受賞しました。同賞は、先端材料理工学科卒業論文発表会において優れた論文発表を行った者に授与されるものです。高野さんの卒業論文の題目は「FZ法によるGaFeO₃単結晶育成と成長方位制御」です。横田さんの卒業論文の題目は「(110)基板上へのSiGeの結晶成長時における表面形状の形成過程」です。