IV族半導体超構造による新機能デバイスに関する研究

有元圭介　教授	原康祐　准教授
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Si，Ge等のIV族半導体を用いた原子層オーダで制御されたヘテロ構造（超構造）は格子不整合による歪みが存在するため，超高移動度などの新物性の発現が期待される。われわれは，IV族半導体ヘテロ構造の形成技術および新機能創成に関する研究を行っている。

現在の主な研究テーマ

1. IV族半導体超構造形成に関する研究

超格子構造やヘテロ構造の界面制御を原子層オーダーで可能とする技術開発を行う。

2. 半導体中の歪み制御に関する研究

半導体ヘテロ構造では、結晶の格子定数差に由来する歪みが存在し、大きく物性が変化する。歪み制御技術を確立し、新物性発現を目指す。

3. 混晶半導体物性に関する研究

IV族混晶半導体はヘテロ構造の特性を制御するために必要であり、その物性を制御することが求められている。我々は、IV族混晶半導体の基礎物性の解明に取り組んでいる。