先端材料理工学科４年穴井和音さん、藤本雄太さん、毛利暖さんが卒業論文優秀発表賞を受賞

令和７年３月１９日、先端材料理工学科4年の穴井和音さん、藤本雄太さん、毛利暖さんが卒業論文優秀発表賞を受賞しました。
穴井さんの卒業論文題目は「浮遊帯域溶融法を用いたAl添加β-Ga₂O₃単結晶の育成条件と固溶限界に関する調査」です。
藤本さんの卒業論文題目は「Si(110)基板上に成膜したSiGe薄膜の表面形状への基板傾斜の影響」です。
毛利さんの卒業論文題目は「[(LaS)_1+δ](NbS₂)多結晶および単結晶の超伝導性に関する研究」です。