先端材料理工学科４年 藤岡琉偉さんが渡辺勝儀記念賞を受賞

令和８年３月１９日、先端材料理工学科4年の藤岡琉偉さんが渡辺勝儀記念賞を受賞しました。同賞は、先端材料理工学科卒業論文発表会において優れた論文発表を行った者に授与されるものです。藤岡さんの卒業論文題目は「表面ラフネスがMOSFETの電子移動度に与える影響の検証」です。