論文・発表 Publications
以下の順にまとめています。Research outputs are listed as below.
- 論文(プロシーディングを含む) Journal articles and conference proceedings
- 国際学会発表 Presentations at international conferences
- 国内学会発表 Presentations at domestic conferences
Last updated: Mar. 29, 2024
論文(プロシーディングを含む) Journal articles and conference proceedings
| 1 | Title: Microstructural, electrical, and optoelectronic properties of BaSi2 epitaxial films grown on Si substrates by close-spaced evaporation Author(s): Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami Source: Journal of Allolys and Compounds Published: Dec 2023 DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.171588 |
| 2 | Title: Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates Author(s): Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, and Junji Yamanaka Source: Journal of Electronic Materials Published: Aug 2023 DOI: 10.1007/s11664-023-10425-7 |
| 3 | Title: Tellurium nanosheets with structural anisotropy formed from defective MoTe2 multilayers Author(s): Shuto Muranaka, Satoshi Nogamida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Yusuke Hoshi Source: AIP Advances Published: Jul 2023 DOI: 10.1063/5.0155417 |
| 4 | Title: Semiconducting BaSi2 film synthesis by close-spaced evaporation benefiting from mechanical activation of source powder by ball milling Author(s): Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto Source: JJAP Conference Proceedings Published:Apr 2023 DOI: 10.56646/jjapcp.10.0_011101 |
| 5 | Title: Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation Author(s): Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kosuke O. Hara Source: Japanese Journal of Applied Physics Published:Apr 2023 DOI: 10.35848/1347-4065/acc7b0 |
| 6 | Title: Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures Author(s): Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, and Keisuke Arimoto Source: Materials Science in Semiconductor Processing Published:Mar 2023 DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107476 |
| 7 | Title: Designing limiting-efficiency BaSi2 solar cells by device simulation and computational material screening Author(s): Kosuke O. Hara Source: Solar Energy Published:Sep 2022 DOI: 10.1016/j.solener.2022.08.044 |
| 8 | Title: [Invited Tutorial] Silicon meets group-II metals in energy and electronic applications—How to handle reactive sources for high-quality films and bulk crystals Author(s): T. Suemasu, K. O. Hara, H. Udono, and M. Imai Source: Journal of Applied Physics Published:May 2022 DOI: 10.1063/5.0092080 |
| 9 | Title: Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two-condenser-lens TEM Author(s): Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Yuichi Sano, Yusuke Ohshima, Atsushi Onogawa, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto Source: Microscopy and Microanalysis Published:Aug 2022 DOI: 10.1017/S1431927622010601 |
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Title: Discovering low-electron affinity semiconductors for junction partners of photovoltaic BaSi2 by database screening and first principles calculations Author(s): Kosuke O. Hara Source: The Journal of Physical Chemistry C Published:Nov 2021 DOI: 10.1021/ACS.JPCC.1C06338 |
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Title: Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films by mechanochemically assisted close-spaced evaporation Author(s): K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, and K. Arimoto Source: Materials Advances Published:Jul 2021 DOI: 10.1039/D1MA00687H |
| 12 | Title: Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation Author(s): K. O. Hara, S. Kunieda, J. Yamanaka, K. Arimoto, M. Itoh, and M. Kurosawa Source: Materials Science in Semiconductor Processing Published:Sep 2021 DOI: 10.1016/J.MSSP.2021.105928 |
| 13 | Title: Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation Author(s): D. Yazawa, K. O. Hara, J. Yamanaka, and K. Arimoto Source: Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films Published:Jul 2021 DOI: 10.1116/6.0001081 |
| 14 | Title: Fabrication of heterojunction crystalline Si solar cells with BaSi2 thin films prepared by a two-step evaporation method Author(s): Y. Nakagawa, K. Takahashi, M. Fujiwara, K. O. Hara, K. Gotoh, Y. Kurokawa, T. Itoh, T. Suemasu, and N. Usami Source: Japanese Journal of Applied Physics Published:Oct 2021 DOI: 10.1017/S1431927620014075 |
| 15 | Title: Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness Author(s): K. Arimoto, T. Fujisawa, D. Namiuchi, A. Onogawa, Y. Sano, D. Izumi, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, and K. Nakagawa Source: Journal of Crystal Growth Published:Oct 2021 DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2021.126246 |
| 16 | Title: HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) Author(s): Yamanaka, Junji and Sano, Yuichi and Saito, Shingo and Onogawa, Atsushi and Hara, Kosuke and Nakagawa, Kiyokazu and Arimoto, Keisuke Source: Microscopy and Microanalysis Published:Jul 2020 DOI: 10.1016/J.MSSP.2020.105042 |
| 17 | Title: Interface reaction of the SnS/BaSi2 heterojunction fabricated for solar cell applications Author(s): Kosuke O Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa Source: Thin Solid Films Published:Jul 2020 DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138064 |
| 18 | Title: Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy Author(s): Shingo Saito; Yuichi Sano; Takane Yamada; … Keisuke Arimoto Source: Materials Science in Semiconductor Processing Published:Jul 2020 DOI: 10.1016/J.MSSP.2020.105042 |
| 19 | Title: Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements Author(s): Daichi Namiuchi; Atsushi Onogawa; Taisuke Fujisawa; … Keisuke Arimoto Source: Materials Science in Semiconductor Processing Published:Jul 2020 DOI: 10.1016/J.MSSP.2020.105052 |
| 20 | Title: Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation Author(s): Kosuke O. Hara; Shuhei Takizawa; Junji Yamanaka; … Keisuke Arimoto Source: Materials Science in Semiconductor Processing Published:Jul 2020 DOI: 10.1016/J.MSSP.2020.105044 |
| 21 | Title: Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si Author(s): Keisuke Arimoto; Naoto Utsuyama; Shohei Mitsui; … Kiyokazu Nakagawa Source: Japanese Journal of Applied Physics Published:Dec 2019 DOI: 10.7567/1347-4065/AB6591 |
| 22 | Title: Thermodynamic analyses of thermal evaporation of BaSi2 Author(s): Kosuke O. Hara; Keisuke Arimoto; Junji Yamanaka; Kiyokazu Nakagawa Source: Japanese Journal of Applied Physics Published:Nov 2019 DOI: 10.7567/1347-4065/AB5B64 |
| 23 | Title: Relaxation of Strain in Si Layers Formed on (110)-Oriented SiGe/Si Heterostructures Author(s): Keisuke Arimoto; Atsushi Onogawa; Shingo Saito; … Kiyokazu Nakagawa Source: ECS Transactions Published:Oct 2019 DOI: 10.1149/09301.0079ECST |
| 24 | Title: Fabrication of SnS/BaSi2 heterojunction by thermal evaporation for solar cell applications Author(s): Kosuke O. Hara; Keisuke Arimoto; Junji Yamanaka; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Published: 2019 |
| 25 | Title: Alternative simple method to realize p-type BaSi<inf>2</inf> thin films for Si heterojunction solar cell applications Author(s): Takahashi, K.; Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; et al. Conference: MRS Advances Volume: 3 Pages: 1435-1442 Year: 2018 DOI: 10.1557/adv.2018.191 |
| 26 | Title: Control of the electrical properties of BaSi<inf>2</inf> evaporated films for solar cell applications Author(s): Hara, K.O.; Trinh, C.T.; Arimoto, K.; et al. Conference: 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017 Pages: 1-4 Year: 2018 DOI: 10.1109/PVSC.2017.8366650 |
| 27 | Title: Diffusion process in BaSi<inf>2</inf>film formation by thermal evaporation and its relation to electrical properties Author(s): Hara, K.O.; Arimoto, K.; Yamanaka, J.; et al. Source: Journal of Materials Research Volume: 33 Issue: 16 Pages: 2297-2305 Published: 2018 DOI: 10.1557/jmr.2018.181 |
| 28 | Title: Simple method for significant improvement of minority-carrier lifetime of evaporated BaSi<inf>2</inf> thin film by sputtered-AlO<inf>x</inf> passivation Author(s): Shaalan, N.M.; Hara, K.O.; Trinh, C.T.; et al. Source: Materials Science in Semiconductor Processing Volume: 76 Pages: 37-41 Published: 2018 DOI: 10.1016/j.mssp.2017.12.015 |
| 29 | Title: Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures Author(s): Arimoto, K.; Onogawa, A.; Saito, S.; et al. Source: Semiconductor Science and Technology Volume: 33 Issue: 12 Published: 2018 DOI: 10.1088/1361-6641/aaeb10 |
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Title: Suppression of Near-interface Oxidation in Thermally-evaporated BaSi<inf>2</inf> Films and Its Effects on Preferred Orientation and the Rectification Behavior of n-BaSi<inf>2</inf>/p<sup>+</sup>-Si Diodes Author(s): Hara, K.O.; Arimoto, K.; Yamanaka, J.; et al. Conference: MRS Advances Volume: 3 Pages: 1387-1392 Year: 2018 DOI: 10.1557/adv.2018.31 |
| 31 | Title: Fabrication of BaSi 2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source Author(s): Kosuke O. Hara; Cham Thi Trinh; Yasuyoshi Kurokawa; et al. Source: Thin Solid Films Volume: 636 Pages: 546–551 Published: 2017 DOI: 10.1016/j.tsf.2017.06.055 |
| 32 | Title: Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation Author(s): Kosuke O. Hara; Shintaro Suzuki; Noritaka Usami Source: Thin Solid Films Published: 2017 DOI: 10.1016/j.tsf.2017.08.025 |
| 33 | Title: Growth of BaSi<inf>2</inf> film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties Author(s): Trinh, C.T.; Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 56 Published: 2017 DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB06 |
| 34 | Title: Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy Author(s): Arimoto, K.; Nakazawa, H.; Mitsui, S.; et al. Source: Semiconductor Science and Technology Volume: 32 Issue: 11 Published: 2017 DOI: 10.1088/1361-6641/aa8a87 |
| 35 | Title: Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells Author(s): Takahashi, K.; Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 56 Published: 2017 DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB04 |
| 36 | Title: Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi<inf>2</inf> films deposited on Si(100) by thermal evaporation Author(s): Hara, K.O.; Yamamoto, C.; Yamanaka, J.; et al. Source: Materials Science in Semiconductor Processing Volume: 72 Pages: 93-98 Published: 2017 DOI: 10.1016/j.mssp.2017.09.020 |
| 37 | Title: Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films Author(s): Hara, K.O.; Trinh, C.T.; Kurokawa, Y.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 56 Issue: 4 Published: 2017 DOI: 10.7567/JJAP.56.04CS07 |
| 38 | Title: Postannealing effects on undoped BaSi<inf>2</inf> evaporated films grown on Si substrates Author(s): Suhara, T.; Murata, K.; Navabi, A.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 56 Published: 2017 DOI: 10.7567/JJAP.56.05DB05 |
| 39 | Title: Control of electrical properties of BaSi2 thin films by alkali-metal doping using alkali-metal fluorides Author(s): Kosuke O. Hara, Weijie Du, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kaoru Toko, Takashi Suemasu, Noritaka Usami Source: Thin Solid Films Volume: 603 Pages: 218-223 Published: 2016 DOI: 10.1016/j.tsf.2016.02.006 |
| 40 | Title: Control of the electrical properties of BaSi<inf>2</inf> evaporated films for solar cell applications Author(s): Hara, K.O.; Trinh, C.T.; Arimoto, K.; et al. Conference: Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference Volume: 2016-November Pages: 2786-2789 Year: 2016 DOI: 10.1109/PVSC.2016.7750159 |
| 41 | Title: Effects of deposition rate on the structure and electron density of evaporated BaSi2 films Author(s): Kosuke O. Hara; Cham Thi Trinh; Keisuke Arimoto; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 120 Issue: 4 Pages: 045103 Published: 2016 DOI: 10.1063/1.4959214 |
| 42 | Title: Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE Author(s): Arimoto, K.; Yagi, S.; Yamanaka, J.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Published: 2016 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.076 |
| 43 | Title: On the Mechanism of BaSi<inf>2</inf> Thin Film Formation on Si Substrate by Vacuum Evaporation Author(s): Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; Suemasu, T.; et al. Conference: Procedia Engineering Volume: 141 Pages: 23-26 Year: 2016 DOI: 10.1016/j.proeng.2015.09.219 |
| 44 | Title: Photoresponse properties of BaSi<inf>2</inf> film grown on Si (100) by vacuum evaporation Author(s): Trinh, C.T.; Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; et al. Source: Materials Research Express Volume: 3 Issue: 7 Published: 2016 DOI: 10.1088/2053-1591/3/7/076204 |
| 45 | Title: Simple Vacuum Evaporation Route to BaSi<inf>2</inf> Thin Films for Solar Cell Applications Author(s): Hara, K.O.; Nakagawa, Y.; Suemasu, T.; et al. Conference: Procedia Engineering Volume: 141 Pages: 27-31 Year: 2016 DOI: 10.1016/j.proeng.2015.08.1103 |
| 46 | Title: Cross-sectional electric field distributions in BaSi2 homo and BaSi2/Si hetero pn junctions Author(s): Baba, M.; Watanabe, K.; Hara, K.O.; et al. Conference: 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 Year: 2015 DOI: 10.1109/PVSC.2015.7355932 |
| 47 | Title: Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy Author(s): Tsukahara, D.; Baba, M.; Watanabe, K.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 54 Issue: 3 Published: 2015 DOI: 10.7567/JJAP.54.030306 |
| 48 | Title: Fabrication and characterization of BaSi2 films on Ge(111) substrates by molecular beam epitaxy Author(s): Takabe, R.; Toko, K.; Hara, K.O.; et al. Conference: 2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 Year: 2015 DOI: 10.1109/PVSC.2015.7355914 |
| 49 | Title: Fabrication of single-phase polycrystalline BaSi\<inf\>2\</inf\> thin films on silicon substrates by vacuum evaporation for solar cell applications Author(s): Nakagawa, Y.; Hara, K.O.; Suemasu, T.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 54 Issue: 8 Published: 2015 DOI: 10.7567/JJAP.54.08KC03 |
| 50 | Title: Formation of BaSi2 heterojunction solar cells using transparent MoOx hole transport layers Author(s): W. Du; R. Takabe; M. Baba; et al. Source: Applied Physics Letters Volume: 106 Issue: 12 Pages: 122104 Published: 2015 DOI: 10.1063/1.4916348 |
| 51 | Title: Realization of single-phase BaSi\<inf\>2\</inf\> films by vacuum evaporation with suitable optical properties and carrier lifetime for solar cell applications Author(s): Hara, K.O.; Nakagawa, Y.; Suemasu, T.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 54 Issue: 7 Published: 2015 DOI: 10.7567/JJAP.54.07JE02 |
| 52 | Title: Structural and electrical characterizations of crack-free BaSi2 thin films fabricated by thermal evaporation Author(s): Kosuke O. Hara; Junji Yamanaka; Keisuke Arimoto; et al. Source: Thin Solid Films Volume: 595 Pages: 68–72 Published: 2015 DOI: 10.1016/j.tsf.2015.10.025 |
| 53 | Title: Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications Author(s): Du, W.; Baba, M.; Toko, K.; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 115 Issue: 22 Published: 2014 DOI: 10.1063/1.4882117 |
| 54 | Title: Engineering of p-n junction for high efficiency semiconducting BaSi2 based thin film solar cells Author(s): Khan, M.A.; Hara, K.O.; Du, W.; et al. Conference: Proceedings of 2014 11th International Bhurban Conference on Applied Sciences and Technology, IBCAST 2014 Pages: 18-21 Year: 2014 DOI: 10.1109/IBCAST.2014.6778114 |
| 55 | Title: Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi2 epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique Author(s): Baba, M.; Watanabe, K.; Hara, K.O.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 53 Issue: 7 Published: 2014 DOI: 10.7567/JJAP.53.078004 |
| 56 | Title: Fabrication and characterization of BaSi2 epitaxial films over 1 μm in thickness on Si(111) Author(s): Takabe, R.; Nakamura, K.; Baba, M.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 53 Issue: 4 SPEC. ISSUE Published: 2014 DOI: 10.7567/JJAP.53.04ER04 |
| 57 | Title: Grain boundaries characterization of semiconducting BaSi2 thin films on a polycrystalline Si substrate Author(s): Baba, M.; Hara, K.O.; Watanabe, K.; et al. Conference: 2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2014 Pages: 206-208 Year: 2014 DOI: 10.1109/PVSC.2014.6925584 |
| 58 | Title: Influence of grain size and surface condition on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111) Author(s): Takabe, Ryota; Hara, Kosuke O.; Baba, Masakazu; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 115 Issue: 19 Published: MAY 21 2014 DOI: 10.1063/1.4878159 |
| 59 | Title: N-type doping of BaSi2 epitaxial films by arsenic ion implantation through a dose-dependent carrier generation mechanism Author(s): Kosuke O. Hara; Noritaka Usami; Masakazu Baba; et al. Source: Thin Solid Films Volume: 567 Pages: 105–108 Published: 2014 DOI: 10.1016/j.tsf.2014.07.049 |
| 60 | Title: N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing Author(s): Hara, K.O.; Hoshi, Y.; Usami, N.; et al. Source: Thin Solid Films Volume: 557 Pages: 90-93 Published: 2014 DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.038 |
| 61 | Title: Potential variation around grain boundaries in BaSi2 films grown on multicrystalline silicon evaluated using Kelvin probe force microscopy Author(s): Masakazu Baba; Kosuke O. Hara; Daichi Tsukahara; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 116 Issue: 23 Pages: 235301 Published: 2014 DOI: 10.1063/1.4904864 |
| 62 | Title: Potential variations around grain boundaries in impurity-doped BaSi2 epitaxial films evaluated by Kelvin probe force microscopy Author(s): Tsukahara, D.; Baba, M.; Honda, S.; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 116 Issue: 12 Published: SEP 28 2014 DOI: 10.1063/1.4896760 |
| 63 | Title: Si-based new material for high-efficiency thin film solar cells Author(s): Du, W.; Baba, M.; Toko, K.; et al. Conference: Proceedings of AM-FPD 2014 – The 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials Pages: 69-72 Year: 2014 DOI: 10.1109/AM-FPD.2014.6867124 |
| 64 | Title: Characterization of grain boundary properties in BaSi2 epitaxial films on Si(111) and Si(001) by Kelvin probe force microscopy Author(s): Baba, M.; Tsurekawa, S.; Nakamura, K.; et al. Conference: Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference Pages: 535-538 Year: 2013 DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744207 |
| 65 | Title: Determination of bulk minority-carrier lifetime in BaSi2 earth-abundant absorber films by utilizing a drastic enhancement of carrier lifetime by post-growth annealing Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Nakamura, K.; et al. Source: Applied Physics Express Volume: 6 Issue: 11 Published: 2013 DOI: 10.7567/APEX.6.112302 |
| 66 | Title: Enhanced p-type conductivity and band gap narrowing in heavily B-doped p-BaSi2 films grown by molecular beam epitaxy Author(s): Khan, M.A.; Hara, K.O.; Du, W.; et al. Conference: Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference Pages: 1357-1360 Year: 2013 DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744395 |
| 67 | Title: Epitaxial growth of BaSi2 films with large grains using vicinal Si(111) substrates Author(s): Baba, M.; Hara, K.O.; Toko, K.; et al. Source: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics Volume: 2 Issue: 12 Published: 2013 DOI: 10.1002/pssc.201300327 |
| 68 | Title: Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi 2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy Author(s): Baba, M.; Tsurekawa, S.; Watanabe, K.; et al. Source: Applied Physics Letters Volume: 103 Issue: 14 Published: 2013 DOI: 10.1063/1.4824335 |
| 69 | Title: Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy Author(s): Takabe, R.; Baba, M.; Nakamura, K.; et al. Source: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics Volume: 2 Issue: 12 Published: 2013 DOI: 10.1002/pssc.201300326 |
| 70 | Title: Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy Author(s): Baba, M.; Toh, K.; Toko, K.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 378 Pages: 193-197 Published: 2013 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.176 |
| 71 | Title: Improvement of excess-carrier lifetime in BaSi2 epitaxial films by post-growth annealing Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Nakamura, K.; et al. Conference: Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference Pages: 550-554 Year: 2013 DOI: 10.1109/PVSC.2013.6744211 |
| 72 | Title: In-situ heavily p-type doping of over 1020 cm-3 in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells applications Author(s): Ajmal Khan, M.; Hara, K.O.; Du, W.; et al. Source: Applied Physics Letters Volume: 102 Issue: 11 Published: 2013 DOI: 10.1063/1.4796142 |
| 73 | Title: Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(0 0 1) substrates by molecular beam epitaxy Author(s): Koike, S.; Toh, K.; Baba, M.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 378 Pages: 198-200 Published: 2013 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.052 |
| 74 | Title: Lattice and grain-boundary diffusions of boron atoms in BaSi2 epitaxial films on Si(111) Author(s): Nakamura, K.; Baba, M.; Ajmal Khan, M.; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 113 Issue: 5 Published: 2013 DOI: 10.1063/1.4790597 |
| 75 | Title: Mechanism of strain relaxation in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates during post-growth annealing and application for film exfoliation Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Nakamura, K.; et al. Source: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics Volume: 2 Issue: 12 Published: 2013 DOI: 10.1002/pssc.201300318 |
| 76 | Title: Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells Author(s): Khan, M.A.; Hara, K.O.; Nakamura, K.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 378 Pages: 201-204 Published: 2013 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.153 |
| 77 | Title: N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing Author(s): Hara, K.O.; Hoshi, Y.; Usami, N.; et al. Source: Thin Solid Films Published: 2013 DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.038 |
| 78 | Title: Phase stability of β-MoSi2-x prepared by the Na flux method against thermal, oxidative, and mechanical treatments Author(s): Hara, K.O.; Fujii, T.; Yamasue, E.; et al. Source: Journal of Materials Science Volume: 48 Issue: 8 Pages: 3121-3127 Published: 2013 DOI: 10.1007/s10853-012-7089-4 |
| 79 | Title: Structural study on phosphorus doping of BaSi2 epitaxial films by ion implantation Author(s): Hara, K.O.; Hoshi, Y.; Usami, N.; et al. Source: Thin Solid Films Volume: 534 Pages: 470-473 Published: 2013 DOI: 10.1016/j.tsf.2013.02.014 |
| 80 | Title: Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells Author(s): Hara, K.O.; Usami, N. Source: Journal of Applied Physics Volume: 114 Issue: 15 Published: 2013 DOI: 10.1063/1.4825046 |
| 81 | Title: Dependence of crystal orientation in Al-induced crystallized poly-Si layers on SiO 2 insertion layer thickness Author(s): Okada, A.; Toko, K.; Hara, K.O.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 356 Issue: 1 Pages: 65-69 Published: 2012 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.015 |
| 82 | Title: Epitaxy of orthorhombic BaSi 2 with preferential in-plane crystal orientation on Si(001): Effects of vicinal substrate and annealing temperature Author(s): Toh, K.; Hara, K.O.; Usami, N.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 51 Issue: 9 Published: 2012 DOI: 10.1143/JJAP.51.095501 |
| 83 | Title: Investigation of grain boundaries in BaSi 2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique Author(s): Baba, M.; Toh, K.; Toko, K.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 348 Issue: 1 Pages: 75-79 Published: 2012 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.03.044 |
| 84 | Title: Investigation of the carrier recombination process in undoped barium disilicide epitaxial films Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Toh, K.; et al. Conference: Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference Pages: 1197-1200 Year: 2012 DOI: 10.1109/PVSC.2012.6317816 |
| 85 | Title: Investigation of the recombination mechanism of excess carriers in undoped BaSi 2 films on silicon Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Toh, K.; et al. Source: Journal of Applied Physics Volume: 112 Issue: 8 Published: 2012 DOI: 10.1063/1.4759246 |
| 86 | Title: Milling-induced polymorphic transformation in MoSi 2 Author(s): Ishihara, K.N.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: International Journal of Materials Research Volume: 103 Issue: 9 Pages: 1130-1136 Published: 2012 DOI: 10.3139/146.110772 |
| 87 | Title: Molecular beam epitaxy of BaSi 2 thin films on Si(001) substrates Author(s): Toh, K.; Hara, K.O.; Usami, N.; et al. Source: Journal of Crystal Growth Volume: 345 Issue: 1 Pages: 16-21 Published: 2012 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.049 |
| 88 | Title: Molecular dynamics study of the milling-induced allotropic transformation in cobalt Author(s): Hara, K.O.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: Philosophical Magazine Volume: 92 Issue: 16 Pages: 2117-2129 Published: 2012 DOI: 10.1080/14786435.2012.669058 |
| 89 | Title: Realization of large-domain barium disilicide epitaxial thin film by introduction of miscut to Si(111) substrate Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Toh, K.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 51 Issue: 10 PART 2 Published: 2012 DOI: 10.1143/JJAP.51.10NB06 |
| 90 | Title: Dynamic equilibrium of MoSi2 polymorphs during mechanical milling Author(s): Hara, K.O.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: Journal of Alloys and Compounds Volume: 509 Issue: SUPPL. 1 Published: 2011 DOI: 10.1016/j.jallcom.2011.02.014 |
| 91 | Title: Structural study of BF2 ion implantation and post annealing of BaSi2 epitaxial films Author(s): Hara, K.O.; Usami, N.; Hoshi, Y.; et al. Source: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 50 Issue: 12 Published: 2011 DOI: 10.1143/JJAP.50.121202 |
| 92 | Title: Indicators for Evaluating Phase Stability During Mechanical Milling Author(s): Hara, K.O.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: Green Energy and Technology Volume: 44 Pages: 211-215 Published: 2010 DOI: 10.1007/978-4-431-99779-5_33 |
| 93 | Title: Formation of metastable phases by high-energy ball milling in the Ti-O system Author(s): Hara, K.O.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: Journal of Physics: Conference Series Volume: 144 Published: 2009 DOI: 10.1088/1742-6596/144/1/012021 |
| 94 | Title: Effects of adsorbed water on TiO synthesis by mechanical alloying Author(s): Hara, K.O.; Yamasue, E.; Okumura, H.; et al. Source: Funtai Oyobi Fummatsu Yakin/Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy Volume: 55 Issue: 1 Pages: 26-32 Published: 2008 Author-provided URL : |
国際学会発表 Presentations at international conferences
| 1 | Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami | Small Negative Effect of Domain Boundary on Carrier Lifetime of BaSi2 Absorber Films | The 34th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-34) | Shenzhen, China | November 5-10, 2023 |
| 2 | Junji Yamanaka, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto | Feasibility study for the evaluation of SiGe/Si (110) domain tilt using X-ray diffraction reciprocal space mapping and conventional HR-TEM method | The 20th International Microscopy Congress (IMC20) | Busan, Korea | September 10-15, 2023 |
| 3 | Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami | Growth of Epitaxial BaSi2 Films with Carrier Lifetime over 2 μs by Close-Spaced Evaporation | 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) | Nagoya, Japan | September 5-8, 2023 |
| 4 | Shuto Muranaka, Satoshi Nogamida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi | Formation of a tellurium nanosheet with structural anisotropy by annealing defective MoTe2 multilayers | The 65th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium | Fukuoka, Japan | September 4-6, 2023 |
| 5 | Junji Yamanaka, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, and Keisuke Arimoto | Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle | Microscopy & Microanalysis 2023 Meeting | Minneapolis, USA | July 23-27, 2023 |
| 6 | Kosuke O. Hara | Heterojunction Design Using Computational Material Screening for Solar Cells: Application to BaSi2 Absorber | 2nd Indo-Japan Joint Workshop on Photovoltaics (IJWP-2023) | Chennai, India | 9-Mar-23 |
| 7 | Masashi Kurosawa, Mai Itoh, Yoshitsune Ito, Kazuya Okada, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Kosuke O. Hara, Yuichiro Ando, Shigeru Yamada, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka | Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets | The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) | Nagoya, Japan & virtual | November 13-17, 2022 |
| 8 | Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara | Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation | The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) | Nagoya, Japan & virtual | November 13-17, 2022 |
| 9 | Kosuke O. Hara | Computational material screening for charge transport layers of BaSi2 solar cells | The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) | Nagoya, Japan & virtual | November 13-17, 2022 |
| 10 | Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto | Synthesis of photoconductive BaSi2 films by close-spaced evaporation | The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22) | Sapporo, Japan & virtual | September 11-16, 2022 |
| 11 | Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto | Evaluation of Lattice-Spacing of Si and SiGe by NBD using conventional TEM | 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX) | Virtual | August 29-September 1, 2022 |
| 12 | Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka | Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates | 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX) | Virtual | August 29-September 1, 2022 |
| 13 | J. Yamanaka, T. Oguni, Y. Sano, Y. Ohshima, A. Onogawa, K. O. Hara, and K. Arimoto | Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using two-condenser-lens TEM | Microscopy & Microanalysis 2022 Meeting | Portland, USA | July 31-August 4, 2022 |
| 14 | Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto | Mechanochemically Assisted Close-Spaced Evaporation of BaSi2 Films | The 6th Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, 2022 | Virtual | July 30-August 1, 2022 |
| 15 | Kosuke O. Hara | Database-Driven Design of BaSi2-Based Solar Cells with Theoretical Limit Efficiency | Materials Research Meeting 2021 | Yokohama, Japan | December 13-17, 2021 |
| 16 | Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto | STEM-Moiré Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes | Japan-Canada Joint Seminar on Advanced Electron Microscopy and its Application―2nd Canada – Japan Microscopy Societies Symposium 2021― | Virtual | November 16-18, 2021 |
| 17 | Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano and Kiyokazu Nakagawa | Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs | 2021 International Conference on Materials Science and Engineering | Virtual | October 11-14, 2021 |
| 18 | Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto | Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré | Microscopy & Microanalysis 2021 Meeting | Virtual | August 1-5, 2021 |
| 19 | Satoshi Nogamida, Shunya Hayashida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Yusuke Hoshi | Investigation of a defect-assisted-metal formed by annealing MoTe2 crystals with Ar ion implantation | European Materials Research Society (E-MRS) Spring meeting 2021 | Virtual | May 31-June 3, 2021 |
| 20 | Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Kiyokazu Nakagawa | Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET formed on SiGe/Si(110) on strained Si Thickness and the channel direction | The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology | Virtual | March 1-3, 2021 |
| 21 | Kosuke O. Hara | Simulation of BaSi2 heterojunction solar cells for high efficiency device design | The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30) | Jeju, Korea & virtual | November 8-13, 2020 |
| 22 | K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, and K. Nakagawa | Engineering Strain, Defects and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si | PRiME 2020, the Electro-Chemical Society Fall Meeting | Hawaii, USA | October 4-9, 2020 |
| 23 | J. Yamanaka, Y. Sano, S. Saito, A. Onogawa, K. O. Hara, K. Nakagawa, K. Arimoto, | HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) | Microscopy & Microanalysis 2020 Meeting | Virtual | August 3-7, 2020 |
| 24 | Shingo Saito, Yuichi Sano, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto | Critical Thickness of SiGe on Si(110) Substrate | 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces | Sendai, Japan | November 27-30, 2019 |
| 25 | Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Keisuke Arimoto, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa | Hole Mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) Hetero Structures Studied by Gated Hall Measurements | 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces | Sendai, Japan | November 27-30, 2019 |
| 26 | Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto | Practical Growth Processes of Silicide and Germanide Thin Films for Photovoltaic and Electronic Applications | 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces | Sendai, Japan | November 27-30, 2019 |
| 27 | Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto | Close-spaced Evaporation: Scalable Technique for BaSi2 Film Deposition | 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29) | Xi’an, China | November 4-8, 2019 |
| 28 | Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa | Hole Mobility Enhancement Observed in (110)-Oriented Strained Si | 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) | Nagoya, Japan | September 2-5, 2019 |
| 29 | Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka | Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis | Microscopy & Microanalysis 2019 Meeting | Portland, USA | August 4-8, 2019 |
| 30 | Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa | Physicochemical study of BaSi2 evaporation for composition-controlled film deposition | The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2019 (APAC-Silicide 2019) | Miyazaki, Japan | July 20-23, 2019 |
| 31 | Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa | Elucidating the SnS/BaSi2 Interface Reaction for SnS/BaSi2 Heterojunction Solar Cells | 10th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2019) | Singapore | June 23-28, 2019 |
| 32 | Kiesuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, and Kiyokazu Nakagawa | Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures | 2nd Joint ISTDM / ICSI Conference (ISTDM&ICSI2019) | Wisconsin, USA | June 2-6, 2019 |
| 33 | Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa | Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications | 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) | Tokyo, Japan | September 9-13, 2018 |
| 34 | Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka | STEM Moiré Observation of the Compositionally Step-Graded SiGe Thin Film and its Image Analysis | 19th International Microscopy Congress (IMC19) | Sydney, Australia | September 9-14, 2018 |
| 35 | Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa | Composition control of semiconducting BaSi2 films fabricated by thermal evaporation | Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018 | Incheon, South Korea | June 25-29, 2018 |
| 36 | Keisuke Arimoto, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Atsushi Onogawa, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa | Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures | 1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference | Potsdam, Germany | May 27-31, 2018 |
| 37 | Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami | Alternative Simple Method to Realize P-Type BaSi2 Thin Films for Si Heterojunction Solar Cells Application | 2017 MRS Fall Meetings & Exhibit | Boston, USA | November 26-December 1, 2017 |
| 38 | Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami | Simple Thermal Evaporation Route to Single-Phase and Highly-Oriented BaSi2 Thin Films | 2017 MRS Fall Meetings & Exhibit | Boston, USA | November 26-December 1, 2017 |
| 39 | Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami | Development of preferred orientation in evaporated BaSi2 films on Si(100) by controlling the near-interface structure | 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27) | Shiga, Japan | November 12-17, 2017 |
| 40 | Kazuma Takahashi , Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Goto, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami | FABRICATION OF SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS WITH BARIUM DISILICIDE THIN FILMS PREPARATED BY THERMAL EVAPORATION | 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27) | Shiga, Japan | November 12-17, 2017 |
| 41 | K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami | Microstructural Characteristics of BaSi2 Epitaxial Films Fabricated by Thermal Evaporation | 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017) | Sendai, Japan | September 20-22, 2017 |
| 42 | N. M. Shaalan, K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, N. Usami | AlOx passivation for improving the minority-carrier lifetime of BaSi2 film for solar cell application | The 2017 E-MRS Spring Meeting and Exhibit | Strasbourg, France | May 22-26, 2017 |
| 43 | Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa, Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa | Growth of strained Si/SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy | The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures | Conventry, UK | May 14-19, 2017 |
| 44 | Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa | STEM Moire Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon | The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017) | Bangkok, Thailand | January 3-5, 2017 |
| 45 | Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami | Close relationship between electrical properties and microstructure of semiconducting BaSi2 films | 2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016) | Taipei, Taiwan | December 22-25, 2016 |
| 46 | Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa | Improving the quality of evaporated BaSi2 films toward photovoltaic applications | University of Yamanashi International Symposium 2016 | Kofu, Japan | 22-Nov-16 |
| 47 | Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami | Fabrication of BaSi2 thin films passivated by amorphous Si using a single evaporation source | 26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26) | Singapore | October 24-28, 2016 |
| 48 | K.O. Hara, C.T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami | Surface Modification of Evaporated BaSi2 Films by In-situ Post-annealing and Amorphous Silicon Capping | 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016) | Tsukuba, Japan | September 26-29, 2016 |
| 49 | Jefferson A. Wibowo, Isao Takahashi, Kosuke O. Hara and Noritaka Usami | Realization of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on (111)-oriented Si Layers Fabricated by Aluminum Induced Crystallization | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 50 | Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami | Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 51 | Takamichi Suhara, Koichi Murata, Aryan Navabi, Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Trinh Cham Chi, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Kang L. Wang, and Noritaka Usami | Post -Annealing Effects on BaSi2 Evaporated Films Grown on Si Substrates | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 52 | Yoshihiko Nakagawa, Cham Thi Trinh, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu and Noritaka Usami | Proposal of a Method to Realize BaSi2 Thin Films with Uniform Orientation using Reactivity of Excessive Ba in the Film and Si Substrate in Vacuum Evaporation | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 53 | Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Ryota Takabe, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami | The Growth of Polycrystalline Orthorhombic BaSi2 on Ge Substrate by Vacuum Evaporation Method | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 54 | Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami | Investigation of p-type Emitter Layer Materials for Heterojunction Barium Silicide Thin Film Solar Cells | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016) | Fukuoka, Japan | July 16-18, 2016 |
| 55 | Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Ryota Takabe, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami | Photoresponse properties of BaSi2 film grown on Si (100) by vacuum evaporation | European PV Solar Energy Conference and Exhibition 2016 | Munich, Germany | June 20-24, 2016 |
| 56 | Kosuke O. Hara, Cham T. Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami | Control of the Electrical Properties of BaSi2 Evaporated Films for Solar Cell Applications | 43rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC43) | Portland, USA | June 5-10, 2016 |
| 57 | Noritaka Usami, Kosuke Hara, Yoshihiko Nakagawa, Cham Thi Trinh, Takamichi Suhara, Jefferson Adrian Wibowo, Isao Takahashi, Takashi Suemasu | A Simple Approach to Grow BaSi2 Thin Film on Foreign Substrates as an Absorber for High-Performance Thin Film Solar Cell | 2016 MRS Spring Meetings & Exhibit | Phoenix, USA | March 28-April 1, 2016 |
| 58 | Takashi Suemasu, Noritaka Usami, Weijie Du, Kosuke Hara, Takashi Sekiguchi, Kaoru Toko, Kentaro Watanabe | Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications | 2016 MRS Spring Meetings & Exhibit | Phoenix, USA | March 28-April 1, 2016 |
| 59 | K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Nakagawa, K. Sawano, N. Usami | Growth of strained Si/SiGe on Si(110) substrates for realization of high-mobility devices | Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015) | Hong Kong, China | December 14-17, 2015 |
| 60 | K. O. Hara, Y. Nakagawa, T. C. Thi, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, T. Suemasu, and N. Usami | Thin film growth of BaSi2 photovoltaic material by rapid thermal evaporation | Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015) | Hong Kong, China | December 14-17, 2015 |
| 61 | C. T. Trinh, Y. Nakagawa, K. O. Hara, T. Suemasu, and N. Usami | Growth of High Quality BaSi2 Film on Ge Substrate by Vacuum Evaporation Method | 25th International Photovoltaic Science & Engineering Conference | Busan, Korea | November 15-20, 2015 |
| 62 | K. O. Hara, W. Du, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Toko, T. Suemasu, and N. Usami | Modification of the electrical properties of BaSi2 films by alkali-metal-fluoride treatment | 25th International Photovoltaic Science & Engineering Conference | Busan, Korea | November 15-20, 2015 |
| 63 | Kosuke O. Hara | Exploration of BaSi2 Ionic-Bond Semiconductor for Solar Cell Applications | University of Yamanashi International Symposium 2015 | Kofu, Japan | 8-Sep-15 |
| 64 | T. Suemasu, W. Du, M. Baba, R. Takabe, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami, K. Watanabe, T. Sekiguchi | Exploring the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications | 8th International Conference on Materials for Advanced Technologies of the Materials Research Society of Singapore | Singapore | June 28-July 3, 2015 |
| 65 | Y. Nakagawa, K. O. Hara, T. Suemasu, and N. Usami | On the Mechanism of BaSi2 Thin Film Formation on Si Substrate by Vacuum Evaporation | 8th International Conference on Materials for Advanced Technologies of the Materials Research Society of Singapore | Singapore | June 28-July 3, 2015 |
| 66 | K. O. Hara, Y. Nakagawa, T. Suemasu, and N. Usami | Simple Vacuum Evaporation Route to BaSi2 Thin Films for Solar Cell Applications | 8th International Conference on Materials for Advanced Technologies of the Materials Research Society of Singapore | Singapore | June 28-July 3, 2015 |
| 67 | Masakazu Baba, Kentaro Watanabe, Kosuke O. Hara, Takashi Sekiguchi, Weijie Du, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Cross-sectional electric field distributions in BaSi2 homo and BaSi2/Si hetero pn junctions | 42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC42) | New Orleans, USA | June 14-19, 2015 |
| 68 | Ryota Takabe, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Fabrication and Characterization of BaSi2 Films on Ge(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy | 42nd IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC42) | New Orleans, USA | June 14-19, 2015 |
| 69 | Y. Nakagawa, K. O. Hara, T. Suemasu, and N. Usami | Fabrication of Single-phase BaSi2 Thin Films on Silicon Substrates by Vacuum Evaporation for Solar Cell Applications | The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion | Kyoto, Japan | November 23-27, 2014 |
| 70 | K. O. Hara and N. Usami | Numerical Simulation of New Earth-abundant SnS/BaSi2 Thin-film Solar Cells with High Efficiencies Exceeding 20 % | The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion | Kyoto, Japan | November 23-27, 2014 |
| 71 | R. Takabe, M. Baba, W. Du, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami, and T. Suemasu | Epitaxial Growth of BaSi2 Films on Ge(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy | The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion | Kyoto, Japan | November 23-27, 2014 |
| 72 | R. Takabe, K. O. Hara, M. Baba, W. Du, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu | Effects of Surface Conditions and Grain Boundaries on Minority-carrier Lifetime in Undoped n-BaSi2 on Si(111) | The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion | Kyoto, Japan | November 23-27, 2014 |
| 73 | D. Tsukahara, M. Baba, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami, K. Watanabe, T. Sekiguchi, and T. Suemasu | Evaluation of Surface Potential Distributions Around Grain Boundaries and Minority-carrier Diffusion Lengths in Impurity Doped n- and p-type BaSi2 Epitaxial Films | The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion | Kyoto, Japan | November 23-27, 2014 |
| 74 | K.O. Hara, Y. Nakagawa, and N. Usami | Fabrication of BaSi2 Thin Films with Long Carrier Lifetime for Thin-Film Solar Cell Applications by Vacuum Evaporation | 29th European PV Solar Energy Conference and Exhibition | Amsterdam, the Netherlands | September 22-26, 2014 |
| 75 | Masakazu Baba, Weijie Du, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Kentaro Watanabe, Takashi Sekiguchi, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Evaluation of potential variation around grain boundaries in BaSi2 on poly-crystalline Si substrates | The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 | Sapporo, Japan | July 28-31, 2014 |
| 76 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Masakazu Baba, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu | Arsenic doping into BaSi2 semiconductor films by ion implantation and thermal annealing | The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014 | Sapporo, Japan | July 28-31, 2014 |
| 77 | Masakazu Baba, Kosuke O. Hara, Daichi Tsukahara, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Crystal growth of undoped and impurity doped BaSi2 films on poly-crystalline Si | International conference and summer school on advanced silicide technology 2014 | Tokyo, Japan | July 19-21, 2014 |
| 78 | Daichi Tsukahara, Masakazu Baba, Ryota Takabe, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kentaro Watanabe, Takashi Sekiguchi, and Takashi Suemasu | Investigation of surface potential distributions of impurity-doped n-BaSi2 thin-films by Kelvin probe force microscopy | International conference and summer school on advanced silicide technology 2014 | Tokyo, Japan | July 19-21, 2014 |
| 79 | Ryota Takabe, Kosuke O. Hara, Masakazu Baba, Weijie Du, Naoya Shimada, Kaoru Toko, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Effect of grain areas on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111) | International conference and summer school on advanced silicide technology 2014 | Tokyo, Japan | July 19-21, 2014 |
| 80 | Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami | Realization of Single-Phase BaSi2 Films by Vacuum Evaporation with Appropriate Optical Properties for Solar Cell Applications | International conference and summer school on advanced silicide technology 2014 | Tokyo, Japan | July 19-21, 2014 |
| 81 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kotaro Nakamura, Ryota Takabe, Masakazu Baba, Kaoru Toko and Takashi Suemasu | On the Origin of Drastic Enhancement of Excess-Carrier Lifetime by Annealing BaSi2 Epitaxial Films | 2013 JSAP-MRS Joint Symposia | Kyoto, Japan | September 16-20, 2013 |
| 82 | Masakazu Baba, Sadahiro Tsurekawa, Du Weijie, Kaoru Toko, Kosuke O Hara, Noritaka Usami and Takashi Suemasu | Potential barrier height at grain boundaries in BaSi2 epitaxial thin films studied by Kelvin probe force microscopy | 2013 JSAP-MRS Joint Symposia | Kyoto, Japan | September 16-20, 2013 |
| 83 | Wonbeom Chang, Sungkuk Choi, Soohoon Jung, Jinyeop Yoo, Jeungwoo Lee, Kosuke Hara, Haruna Watanabe, Noritaka Usami, and Jiho Chang | Influence of the micro-patterned ZnO layer on the growth of polycrystalline-Si layer by aluminum-induced layer exchange process | The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013) | Jeju, Korea | November 12-15, 2013 |
| 84 | R. Takabe, M. Baba, K. Nakamura, W. Du, M. A. Khan, S. Koike, K. Toko, K. Hara, N. Usami, and T. Suemasu | Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013) | Tsukuba, Japan | July 27-29, 2013 |
| 85 | M. Baba, K. O. Hara, N. Saito, N. Yoshizawa, N. Usami, K. Toko, and T. Suemasu | Epitaxial growth of BaSi2 films with large grains using vicinal Si(111) substrates | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013) | Tsukuba, Japan | July 27-29, 2013 |
| 86 | K. O. Hara, N. Usami, K. Nakamura, R. Takabe, M. Baba, K. Toko, and T. Suemasu | Mechanism of Strain Relaxation in BaSi2 Epitaxial Films on Si(111) Substrates during Post-Growth Annealing and Application for Film Exfoliation | Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013) | Tsukuba, Japan | July 27-29, 2013 |
| 87 | M. Ajmal Khan, K. O. Hara, W. Du, M. Baba, K. Nakamura, M. Suzuno, K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu | Enhanced p-type conductivity and band gap narrowing in heavily B-doped p-BaSi2 films grown by molecular beam epitaxy | 39th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC39) | Tampa, Florida, USA | June 16–21, 2013 |
| 88 | Masakazu Baba, Sadahiro Tsurekawa, Kotaro Nakamura, Du Weijie, Shintaro Koike, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | Characterization of grain boundary properties in BaSi2 epitaxial films on Si(111) and Si(001) by Kelvin probe force microscopy | 39th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC39) | Tampa, Florida, USA | June 16–21, 2013 |
| 89 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kotaro Nakamura, Ryouta Takabe, Masakazu Baba, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu | Improvement of Excess-Carrier Lifetime in BaSi2 Epitaxial Films by Post-Growth Annealing | 39th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC39) | Tampa, Florida, USA | June 16–21, 2013 |
| 90 | Kosuke O. Hara, Yusuke Hoshi, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki, Kotaro Nakamura, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu | N-Type Doping of BaSi2 Epitaxial Films by Phosphorus Ion Implantation and Thermal Annealing | The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) | Fukuoka, Japan | June 2–7, 2013 |
| 91 | K. O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, and T. Suemasu | Phosphorus ion implantation into BaSi2 epitaxial films for n-type doping | Summit of Materials Science (SMS2012) | Sendai, Japan | November 27–29, 2012 |
| 92 | K. O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, and T. Suemasu | Phosphorus doping of BaSi2 by ion implantation | The 22nd Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-22) | Hanzhou, China | November 5–9, 2012. |
| 93 | M. Ajmal Khan, Kosuke O. Hara, Kotaro Nakamura, Masakazu Baba, Katsuaki Toh, Mitsushi Suzuno, Kaoru Toko, Noritaka Usami and Takashi Suemasu | Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells | The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012) | Nara, Japan | September 23-28, 2012 |
| 94 | S. Koike, K. Toh, M. Baba, K. Toko, K. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, T. Suemasu | Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy | The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012) | Nara, Japan | September 23-28, 2012 |
| 95 | Masakazu Baba, Katsuaki Toh, Kaoru Toko, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Noriyuki Saito, Noriko Yoshizawa, Takashi Suemasu | Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers on Si(111) grown by molecular beam epitaxy | The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012) | Nara, Japan | September 23-28, 2012 |
| 96 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Katsuaki Toh, Masakazu Baba, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu | Investigation of the Carrier Recombination Process in Undoped Barium Disilicide Epitaxial Films | 38th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC38) | Austin, Texas, USA | June 3–8 , 2012. |
| 97 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, and Takashi Suemasu | BaSi2 as a New Material for Thin Film Solar Cells | 1st IMR & KMU Joint Workshop under the Korea-Japan Basic Scientific Cooperation Program and the Collaboration Agreement between IMR & KMU | Busan, Korea | 20-Feb-12 |
| 98 | Kosuke O. Hara | Barium Disicilide: A New Material for Thin-Film Solar Cells | Seminar at INSA | Lyon, France | 17-Nov-11 |
| 99 | Keiichi N. Ishihara, Eiji Yamasue, Hideyuki Okumura and Kosuke O. Hara | Milling Induced Polymorphic Transformation in MoSi2 | The 14th International Conference on Rapidly Quenched and Metastable Materials (RQ 14) | Salvador, BA, Brazil | August 28-Sep 2, 2011 |
| 100 | Atsushi Okada, Kaoru Toko, Kosuke Hara, Noritaka Usami, Takashi Suemasu | Impact of diffusion barrier layer thickness on preferential orientation of Al-induced crystallized Si layers for BaSi2 solar cell | Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21) | Fukuoka, Japan | November 28-December2, 2011 |
| 101 | Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Katsuaki Toh, Kaoru Toko, and Takashi Suemasu | Realization of large-domain barium disilicide epitaxial thin film by introduction of miscut to silicon (111) substrate | Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21) | Fukuoka, Japan | November 28-December2, 2011 |
| 102 | A. Okada, K. Toko, K. Hara, N. Usami and T. Suemasu | Orientation control of Al-induced crystallized silicon by diffusion barrier layers | 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) | Nagoya, Japan | September 28-30, 2011 |
| 103 | K.O. Hara, N. Usami, Y. Hoshi, Y. Shiraki, M. Suzuno, K. Toko, and T. Suemasu | Annealing of the BaSi2 Epitaxial Films Implanted with BF2 Ions | 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011) | Nagoya, Japan | September 28-30, 2011 |
| 104 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Metastable phase formation by mechanical milling | University of Science and Technology of China – Kyoto University Joint Doctoral Workshop on CO2 Zero Emission Energy Science and Technology | Hefei, China | 10-Sep-10 |
| 105 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Dynamic equilibrium of MoSi2 polymorphs during mechanical milling | The 2nd International Symposium: Kyoto University Global COE Program “Energy Science in the Age of Global Warming — Toward CO2 Zero-emission– ” | Kyoto, Japan | August 19-20, 2010 |
| 106 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Dynamic equilibrium of MoSi2 polymorphs during mechanical milling | International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials (ISMANAM 2010) | Zurich, Switzerland | July 4-9, 2010 |
| 107 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Phase transformation induced by mechanical milling in MoSi2 | 7th Eco-Energy and Material Science and Engineering Symposium | Chiangmai, Thailand | November 19-22, 2009 |
| 108 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Indicators for evaluating phase stability during mechanical milling | International Summer School Symposium on Energy Science for Young Generations (ISSES-YGN) | Kyoto, Japan | August 20-22, 2009 |
| 109 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Structure of Ti4O7 prepared by mechanochemical synthesis | Nonstoichiometric Compounds | Jeju, Korea | March 8-13, 2009 |
| 110 | K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara | Phase stability under high-energy ball milling in the Ti-O system | The 13th International Conference on Rapidly Quenched & Metastable Materials (RQ13) | Dresden, Germany | August 24-29, 2008 |
| 1 | 有元 圭介、近藤 弘人、河村 剛登、中川 清和、原 康祐、山中 淳二 | Si/Ge/SiO2の低温成長とその構造及び電気特性評価 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2024年3月22-25日 |
| 2 | 矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池における裏面電極の為の計算材料スクリーニング | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2024年3月22-25日 |
| 3 | 原 康祐、牧 祐孝、類家 哉子、山中 淳二、有元 圭介 | 近接蒸着法による傾斜Si基板上への単一結晶方位BaSi2薄膜の形成 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2024年3月22-25日 |
| 4 | 國枝 慎、矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | スパッタリング法による酸化サマリウム薄膜の作製 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2024年3月22-25日 |
| 5 | 田島 滉太、山中 淳二、有元 圭介、原 康祐、我妻 勇哉、澤野 憲太郎 | SiGe / Ge / Si (111)に発生するクラックの方位 | 日本金属学会2024年春期（第174回）講演大会 | 東京 | 2024年3月12-15日 |
| 6 | 村中 柊都、野上田 聖、原 康祐、澤野 憲太郎、星 裕介 | Arイオン注入した多層MoTe2の熱処理によるテルルナノシート形成 | 第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT29) | 静岡県三島市 | 2024年2月1-2日 |
| 7 | 原 康祐、矢﨑 智昌 | 高効率なダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池の開発 | ナシダイ諸学融合シンポジウム | 甲府 | ######### |
| 8 | 原 康祐 | シリサイド薄膜結晶の作製と太陽電池応用 | 無機合成研究施設創設60周年(クリスタル科学研究センター20周年)記念会 | 甲府 | ######### |
| 9 | 古屋丞司、山中淳二、有元圭介、原康祐、土井稔 | NBD 回折円盤を用いたNi-Al-Ti 合金中の析出物と母相の面間隔評価 | 日本金属学会2023年秋期(第173回）講演大会 | 富山 | 2023年9月19-22日 |
| 10 | 河村 剛登、原 康祐、山中 淳二、中川 清和、有元 圭介 | 歪み Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造への in-situ Sb ドーピングプロセスの検討 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 熊本 | 2023年9月19-23日 |
| 11 | 青沼 雄基、藤澤 泰輔、堀内 未希、吉川 満希、山中 淳二、原 康祐、中川 清和、有元 圭介 | 歪みSi/SiGe/Si(110)MOS構造の界面準位密度の評価 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 熊本 | 2023年9月19-23日 |
| 12 | 高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、黒澤 昌志、原 康祐 | 近接蒸着法により成膜したCaSi2のSiHへの変換 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 熊本 | 2023年9月19-23日 |
| 13 | 原 康祐、有元 圭介 | BaSi2ダブルヘテロ接合における接合界面の化学的安定性の検証 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 熊本 | 2023年9月19-23日 |
| 14 | 矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池の電極材料の候補選定 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 熊本 | 2023年9月19-23日 |
| 15 | 高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | 近接蒸着法を用いて作製したCaSi2薄膜の平坦性 | 第20回シリサイド系半導体・夏の学校 | 愛知県南知多郡 | 2023年7月22，23日 |
| 16 | 國枝 慎、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | BaSi2太陽電池の電子輸送層に向けたSiCとSm2O3の成膜の試み | 第20回シリサイド系半導体・夏の学校 | 愛知県南知多郡 | 2023年7月22，23日 |
| 17 | 矢﨑 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池の電極材料探索に向けたデバイスシミュレーション | 第20回シリサイド系半導体・夏の学校 | 愛知県南知多郡 | 2023年7月22，23日 |
| 18 | 近藤弘人、有元圭介、原康祐、山中淳二 | 低温成長したSi/Ge/SiO2のTEM, SEM, AFM観察 | 日本顕微鏡学会第79回学術講演会 | 松江 | 2023年6月26-28日 |
| 19 | 高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | 近接蒸着法により作製したCaSi2薄膜の結晶配向性 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド(東京＋オンライン) | 2023年3月15-18日 |
| 20 | 原 康祐、有元 圭介、宇佐美 徳隆 | BaSi2薄膜の結晶粒界とキャリア寿命の関係 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド(東京＋オンライン) | 2023年3月15-18日 |
| 21 | 國枝 慎、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | Ni 固相フラックスを用いたSiC 薄膜作製の試み | 第16 回日本フラックス成長研究発表会 | 甲府 | 2022年12月15-16日 |
| 22 | 高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | 近接蒸着法を用いたCaSi₂薄膜の作製 | 第16 回日本フラックス成長研究発表会 | 甲府 | 2022年12月15-16日 |
| 23 | 古屋 丞司、有元 圭介、小國 琢弥、原 康祐、山中 淳二 | NBD回折円盤からのSiGe面間隔測定における収束レンズ条件の影響 | 日本顕微鏡学会第65回シンポジウム | 倉敷 | 2022年11月5,6日 |
| 24 | 田島 滉太、山中 淳二、有元 圭介、原 康祐、我妻 勇哉、澤野 憲太郎 | 歪みSiGe/Ge(111)に発生したクラックのTEM観察 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | ハイブリッド(仙台＋オンライン) | 2022年9月20-23日 |
| 25 | 近藤 弘人、有元 圭介、原 康祐、山中 淳二 | Ge/SiO2及びSi/Ge/SiO2の低温成長とそのTEM観察 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | ハイブリッド(仙台＋オンライン) | 2022年9月20-23日 |
| 26 | 原 康祐 | BaSi2の成膜技術開発と太陽電池応用 | 山梨大学新技術情報クラブ令和4年度第一回交流会 | オンライン | ######### |
| 27 | 原 康祐 | BaSi2太陽電池の電荷輸送層に対する材料探索プロセスの改良 | 第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第2回日本太陽光発電学会学術講演会） | ハイブリッド(金沢+オンライン) | 2022年6月28，29日 |
| 28 | 山中淳二、小國琢弥、佐野雄一、大島佑介、各川敦史、原康祐、有元圭介 | 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSiGeと歪Siの面間隔評価 | 日本顕微鏡学会第78回学術講演会 | ハイブリッド(郡山+オンライン) | 2022年5月11-13日 |
| 29 | 藤澤 泰輔、各川 敦史、堀内 未希、坂田 千尋、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介 | 歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド（神奈川+オンライン） | 2022年3月22-26日 |
| 30 | 上田 龍斗、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | 機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド（神奈川+オンライン） | 2022年3月22-26日 |
| 31 | 原 康祐、高垣 僚太、有元 圭介、宇佐美 徳隆 | Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド（神奈川+オンライン） | 2022年3月22-26日 |
| 32 | 原 康祐 | BaSi2太陽電池の限界発電効率の再検討 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | ハイブリッド（神奈川+オンライン） | 2022年3月22-26日 |
| 33 | 坂田 千尋、有元 圭介、各川 敦史、原 康祐、山中 淳二 | Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価 | 日本顕微鏡学会第64回シンポジウム | 福岡 | 2021年11月24-26日 |
| 34 | 小國 琢弥、佐野 雄一、大島 佑介、原 康祐、有元 圭介、山中 淳二 | 2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行 | 日本顕微鏡学会第64回シンポジウム | 福岡 | 2021年11月24-26日 |
| 35 | 原 康祐 | 高効率ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計：BaSi2 を光吸収層として | 第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第1回日本太陽光発電学会学術講演会） | オンライン | 2021年10月14-15日 |
| 36 | 原 康祐 | BaSi2太陽電池に適した電子・正孔輸送層のデータベース駆動型材料探索 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | オンライン | 2021年9月10-13日 |
| 37 | 上田 龍斗、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐 | 機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの作成 | 第19回シリサイド系半導体・夏の学校 | オンライン | 2021年8月21，22日 |
| 38 | 原 康祐 | 第一原理計算によるBaSi2太陽電池の接合パートナー探索 | 学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点 第13回シンポジウム | オンライン | 2021年7月8-9日 |
| 39 | 小國琢弥、佐野雄一、原康祐、有元圭介、山中淳二 | 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSi面間隔評価の試行 | 日本顕微鏡学会第77回学術講演会 | オンライン | 2021年6月14-16日 |
| 40 | 堀内 未希、斎藤 慎吾、原 康介、山中 淳二、有元 圭介 | Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | オンライン | 2021年3月16-19日 |
| 41 | 吉川 満希、浪内 大地、陳 北辰、堀内 未希、藤澤 泰輔、山中 淳二、原 康祐、中川 清和、有元 圭介 | 歪みSi/ SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | オンライン | 2021年3月16-19日 |
| 42 | 原 康祐、塚越 由花、牧瀬 啓人、有元 圭介、星 裕介、松島 悟 | 電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | オンライン | 2021年3月16-19日 |
| 43 | 原 康祐、國枝 慎、山中 淳二、有元 圭介、伊藤 麻維、黒澤 昌志 | 近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | オンライン | 2021年3月16-19日 |
| 44 | 原 康祐、山本 千綾、山中 淳二、有元 圭介 | メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi2成膜 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | オンライン | 2021年3月16-19日 |
| 45 | 原 康祐 | 電子・正孔輸送層を用いるBaSi2太陽電池のデバイスシミュレーション | 第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | オンライン | 2020年10月15-16日 |
| 46 | 藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介 | 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性 | 第81回応用物理学会秋季学術講演会 | オンライン | 2020年9月8-11日 |
| 47 | 原 康祐 | 理論限界効率を示すBaSi2太陽電池のデバイスシミュレーション | 第81回応用物理学会秋季学術講演会 | オンライン | 2020年9月8-11日 |
| 48 | 原 康祐、瀧澤 周平、山中 淳二、黒澤 昌志、有元 圭介 | 近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜 | 第67回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2020年3月12-15日 |
| 49 | 瀧澤 周平、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介 | 真空蒸着法によるSrSi2の薄膜作製 | 第67回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2020年3月12-15日 |
| 50 | 原 康祐 | 第一原理計算を活用したn 型BaSi2との接合ペア材料の探索 | 第67回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2020年3月12-15日 |
| 51 | 原 康祐 | Zintl 相シリサイド、ジャーマナイドの高速成膜技術 | 第４回 新奇二次元デバイス・物質科学ワークショップ | 名古屋 | ######### |
| 52 | 藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、斎藤 慎吾、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介 | 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2019年9月18-21日 |
| 53 | 浪内 大地、澤野 憲太郎、各川 敦史、佐野 雄一、泉 大輔、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和 | 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2019年9月18-21日 |
| 54 | 矢澤 大典、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介 | 真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2019年9月18-21日 |
| 55 | 斎藤 慎吾、佐野 雄一、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和 | Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2019年9月18-21日 |
| 56 | 原 康祐、山中 淳二、有元 圭介 | BaSi2融液から発生する蒸気組成の理論解析 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2019年9月18-21日 |
| 57 | 泉大輔、波多聰、白倉麻依、佐藤圭、原康祐、有元圭介、中川清和、山中淳二 | SiGe のSTEM モアレ観察-収差補正有無での比較 | 日本顕微鏡学会第75回学術講演会 | 名古屋 | 2019年6月17-19日 |
| 58 | 佐野雄一、有元圭介、斎藤慎吾、各川敦史、原康祐、中川清和、山中淳二 | Si(110) 基板上に成長したSiGe混晶半導体の高分解能TEM観察 | 日本顕微鏡学会 第43回関東支部講演会 | 東京 | ######### |
| 59 | 中家 大希、斎藤 慎吾、荒井 哲司、上村 和貴、有元 圭介、原 康祐、山中 淳二、中川 清和、高松 利行、澤野 憲太郎 | 水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上Poly-Si形成技術開発 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2019年3月9-12日 |
| 60 | 有元 圭介、各川 敦史、斎藤 慎吾、原 康祐、山中 淳二、中川 清和 | (110)面歪みSi薄膜のラマン分光法による歪み評価 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2019年3月9-12日 |
| 61 | 原 康祐、瀧澤 周平、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和 | 近接蒸着によるBaSi2薄膜作製 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2019年3月9-12日 |
| 62 | 原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和 | 高速熱蒸着によるBaSi2薄膜作製技術の進展 | 第32回シリサイド系半導体研究会 | 名古屋 | ######### |
| 63 | 中家 大希、荒井 哲司、上村 和貴、有元 圭介、原 康祐、白倉 麻衣、山本 千綾、山中 淳二、中川 清和、高松 利行 | 水素ラジカル加熱を用いたSi-ULSI用NiSi電極形成技術開発 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2018年9月18-21日 |
| 64 | 浪内 大地、佐藤 圭、澤野 憲太郎、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和 | 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2018年9月18-21日 |
| 65 | 斎藤 慎吾、佐野 雄一、山田 崇峰、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和 | SiGe/Si(110)構造の表面形状形成過程に関する研究 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2018年9月18-21日 |
| 66 | 大島 佑介、山田 崇峰、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和 | Si(110)上に形成されたSiGeの格子歪みの熱的安定性 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2018年9月18-21日 |
| 67 | 原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和 | 連続蒸着とポストアニールによるSnS/BaSi2ヘテロ接合の作製 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2018年9月18-21日 |
| 68 | 山中淳二、山本千綾、白倉麻依、佐藤圭、山田祟峰、原康祐、有元圭介、中川清和、石塚顕在、石塚和夫 | 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEM モアレ観察と面間隔評価 | 日本顕微鏡学会第74回学術講演会 | 福岡 | 2018年5月29-31日 |
| 69 | 有元 圭介、各川 敦史、山田 祟峰、原 康祐、山中 淳二、中川 清和 | (110)面歪みSi薄膜の臨界膜厚 | 第65回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2018年3月17-20日 |
| 70 | 原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和 | BaSi2蒸着における蒸気組成と成膜過程解析 | 第65回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2018年3月17-20日 |
| 71 | 原 康祐、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和、宇佐美 徳隆 | BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響 | 第78回応用物理学会秋季学術講演会 | 福岡 | 2017年9月5-8日 |
| 72 | 高橋 一真， 中川 慶彦 ， 原 康祐， 高橋 勲， 黒川 康良， 宇佐美 徳隆 | p型BaSi2薄膜を用いたヘテロ接合型Si太陽電池の作製 | 第14 回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 名古屋 | 2017年7月20-21日 |
| 73 | 原 康祐，Cham Thi Trinh，黒川 康良，有元 圭介，山中 淳二，中川 清和，宇佐美 徳隆 | BaSi2蒸着膜のa-Si被覆による表面酸化抑制 | 第14 回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 名古屋 | 2017年7月20-21日 |
| 74 | 山中 淳二，山本 千綾，白倉 麻依，佐藤 圭，山田 崇峰，原 康祐，有元 圭介，中川 清和 | 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察 | 第73回日本顕微鏡学会学術講演会 | 札幌 | 2017年5月30日-6月1日 |
| 75 | 須原 貴道、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、末益 崇、宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi2の接触抵抗低減効果 | 第64回応用物理学会春季学術講演会 | 横浜 | 2017年3月14-17日 |
| 76 | 高橋 一真、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、宇佐美 徳隆 | Siヘテロ接合太陽電池応用に向けたp型BaSi2の作製技術開発 | 第64回応用物理学会春季学術講演会 | 横浜 | 2017年3月14-17日 |
| 77 | 原 康祐、山本 千綾、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和、黒川 康良、宇佐美 徳隆 | BaSi2蒸着膜中の酸素不純物に関する調査 | 第64回応用物理学会春季学術講演会 | 横浜 | 2017年3月14-17日 |
| 78 | Jefferson Adrian WIBOWO、Yoshihiko NAKAGAWA、Isao TAKAHASHI、Kosuke O. HARA、Noritaka USAMI | Growth of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on Poly-Crystalline Silicon Fabricated by Aluminum Induced Crystallization | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 79 | 山田 崇峰、宇津山 直人、佐藤 圭、白倉 麻衣、山本 千綾、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、宇佐美 徳隆、澤野 憲太郎、中川 清和 | 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 80 | 村上 太陽、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、山本 千綾、宇佐美 徳隆、星 裕介、有澤 洋、澤野 憲太郎、中川 清和 | イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 81 | 佐藤 圭、宇津山 直人、山田 崇峰、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太朗、宇佐美 徳隆、中川 清和 | 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の表面モフォロジーに成長速度が及ぼす影響 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 82 | 高橋 一真、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、宇佐美 徳隆 | Si ヘテロ接合太陽電池におけるホール選択層としてのBaSi2 の検討 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 83 | 須原 貴道、青柳 健太、原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法により作製したBaSi2/SUS304 の断面評価 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 84 | 原 康祐、Trinh Cham Thi、黒川 康良、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、宇佐美 徳隆 | 単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | 新潟 | 2016年9月13-16日 |
| 85 | 宇津山 直人、佐藤 圭、山田 崇峰、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、原 康祐、宇佐美 徳隆、澤野 憲太郎 | 微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 86 | Trinh Cham Thi、Nakagawa Yoshihiko、Hara Kosuke O.、Takabe Ryota、Suemasu Takashi、Usami Noritaka | Photoresponse property of BaSi2 film grown on Si substrate by vacuum evaporation | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 87 | 須原 貴道、村田 晃一、Navabi Aryan、Che Xiaoyu、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、末益 崇、Wang Kang L.、宇佐美 徳隆 | アンドープBaSi2蒸着膜へのポストアニール効果 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 88 | 中田 充紀、都甲 薫、原 康祐、宇佐美 徳隆、末益 崇 | Al誘起成長Ge薄膜をシードとした低不純物密度Ge層の厚膜形成 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 89 | 高橋 一真、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、宇佐美 徳隆 | BaSi2薄膜太陽電池におけるp型エミッタ層材料の探索 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 90 | 原 康祐、Trinh Thi Cham、黒川 康良、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、末益 崇、宇佐美 徳隆 | 高速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化 | 第63回応用物理学会春季学術講演会 | 東京 | 2016年3月19-22日 |
| 91 | 原 康祐 | 太陽電池応用を目指したBaSi2半導体の薄膜成長 | 日本学術振興会第161委員会第93回研究会 | 名古屋 | ######### |
| 92 | 武内 大樹、Du Weijie、高部 涼太、都甲 薫、原 康祐、宇佐美 徳隆、末益 崇 | In-situ MoOxキャップを施したBaSi2エピタキシャル膜の電気/光学特性評価 | 第76回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2015年9月13-16日 |
| 93 | 高部 涼太、馬場 正和、Du Weijie、原 康祐、都甲 薫、宇佐美 徳隆、末益 崇 | Ge(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の分光感度特性 | 第76回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2015年9月13-16日 |
| 94 | 中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、末益 崇、宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法で作製したBaSi2膜の面方位の形成メカニズムの検討 | 第76回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2015年9月13-16日 |
| 95 | 原 康祐、Du Weijie、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、都甲 薫、末益 崇、宇佐美 徳隆 | アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi2薄膜の電気特性制御 | 第76回応用物理学会秋季学術講演会 | 名古屋 | 2015年9月13-16日 |
| 96 | 須原 貴道，鈴木 慎太郎，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | pn接合実現に向けた真空蒸着法によるBaSi2薄膜およびSnS薄膜の作製 | 第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 福島 | 2015年5月28，29日 |
| 97 | 中川 慶彦，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 原料分解反応を制御した真空蒸着法によるSi基板上BaSi2膜の高品質化 | 第12回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 福島 | 2015年5月28，29日 |
| 98 | 原 康祐，中川 慶彦，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 太陽電池応用を目指した真空蒸着によるBaSi2成膜法の開発 | 第25回シリサイド系半導体研究会 | 神奈川 | ######### |
| 99 | 高部 涼太，原 康祐，都甲 薫，宇佐美 徳隆，末益 崇 | 固相成長テンプレートを用いたGe(111)基板上へのBaSi2 膜作製 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 100 | 鈴木 慎太郎，須原 貴道，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | SnS/BaSi2ヘテロ接合太陽電池に向けた真空蒸着法によるSnS薄膜作製 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 101 | 中川 慶彦，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法により作製したBaSi2薄膜の膜厚による影響 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 102 | 須原 貴道，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法による導電性基板上への BaSi2薄膜の作製 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 103 | 武内 大樹，Du Weijie，高部 涼太，都甲 薫，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | MBE法で形成したBaSi２エピタキシャル膜/酸化膜界面の欠陥準位評価 | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 104 | 原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 希少元素フリーSnS/BaSi2太陽電池の提案と数値シミュレーション | 第62回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2015年3月11-14日 |
| 105 | 髙部 涼太，馬場 正和，Weijie Du，都甲 薫，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | MBE法によるGe(111)基板上のBaSi2エピタキシャル膜の作製と評価 | 第75回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2014年9月17-20日 |
| 106 | 中川 慶彦，原 康祐，末益 崇，宇佐美 徳隆 | 真空蒸着法で作製したBaSi2薄膜のキャリアライフタイムの評価 | 第75回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2014年9月17-20日 |
| 107 | 原 康祐，中川 慶彦，末益 崇，宇佐美 徳隆 | シリコン補給層を利用したガラス基板上BaSi2単相蒸着膜の厚膜化 | 第75回応用物理学会秋季学術講演会 | 札幌 | 2014年9月17-20日 |
| 108 | 塚原 大地，馬場 正和，髙部 涼太，都甲 薫，渡辺 健太郎，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | KFM法によるSb-doped BaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 109 | 馬場 正和，塚原 大地，Weijie Du，都甲 薫，渡辺 健太郎，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | KFM 法によるB 添加p 型BaSi2 エピタキシャル薄膜表面のポテンシャル分布 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 110 | 高部 涼太，原 康祐，馬場 正和，Weijie Du，都甲 薫，宇佐美 徳隆，末益 崇 | アンドープn型BaSi2エピタキシャル膜少数キャリア寿命の結晶粒径依存 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 111 | 中川 慶彦，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | 真空蒸着法によるSi基板上へのBaSi2薄膜の作製 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 112 | 原 康祐，中川 慶彦，宇佐美 徳隆，末益 崇 | 真空蒸着法によるガラス基板上へのBaSi2薄膜の作製と評価 | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 113 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル薄膜へのAsイオン注入と高温アニール | 第61回応用物理学会春季学術講演会 | 神奈川 | 2014年3月17-20日 |
| 114 | 原 康祐，宇佐美 徳隆 | pn接合太陽電池における電荷分離の駆動力と開放電圧 | 第5回薄膜太陽電池セミナー | 名古屋 | 2013年11月14, 15日 |
| 115 | 髙部 涼太，中村 航太郎，馬場 正和，Weijie Du，Muhammad Ajmal Khan，都甲 薫，笹瀬 雅人，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | 厚さ1.5 μmを超えるBaSi2膜のSi(111)基板上へのMBE成長 | 第74回応用物理学会学術講演会 | 京都 | 2013年9月16～20日 |
| 116 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，中村 航太郎，髙部 涼太，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル薄膜の成長後アニールによる余剰キャリア寿命の増大 | 第10回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 金沢 | 2013年5月23, 24日 |
| 117 | 中村 航太郎，馬場 正和，Khan M. Ajmal，Weijie Du，宇佐美 徳隆，原 康祐，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル膜における不純物拡散係数の評価 | 第60回応用物理学関係連合講演会 | 神奈川 | 2013年3月27～30日 |
| 118 | 高部 涼太，馬場 正和，中村 航太郎，Du Weijie，Khan Muhammad Ajmal，小池 信太郎，都甲 薫，原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | MBE 法によるn 型伝導P-doped BaSi2 膜の作製と評価 | 第60回応用物理学関係連合講演会 | 神奈川 | 2013年3月27～30日 |
| 119 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，中村 航太郎，髙部 涼太，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | アニールしたBaSi2エピタキシャル薄膜の余剰キャリア寿命 | 第60回応用物理学関係連合講演会 | 神奈川 | 2013年3月27～30日 |
| 120 | 原 康祐，宇佐美 徳隆 | 太陽電池の電荷分離における化学ポテンシャルの役割 | 第60回応用物理学関係連合講演会 | 神奈川 | 2013年3月27～30日 |
| 121 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，藤 克昭，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | 新規太陽電池材料BaSi2薄膜における余剰キャリア再結合機構 | 東北大学研究所連携プロジェクト第4期平成24年度成果報告会 | 仙台 | ######### |
| 122 | 沼田 諒平，馬場 正和，都甲 薫，宇佐美 徳隆，原 康祐，末益 崇 | ガラス上BaSi2膜の高配向成長に向けたAl誘起成長Si層の平坦化 | 第73回応用物理学会学術講演会 | 松山 | 2012年9月11-14日 |
| 123 | 中村 航太郎，馬場 正和，Khan M. Ajmal，Weijie Du，宇佐美 徳隆，原 康祐，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価 | 第73回応用物理学会学術講演会 | 松山 | 2012年9月11-14日 |
| 124 | 原 康祐，星 裕介，宇佐美 徳隆，白木 靖寛，中村 航太郎，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル薄膜へのPH3注入及び高温アニール | 第73回応用物理学会学術講演会 | 松山 | 2012年9月11-14日 |
| 125 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，末益 崇 | 太陽電池への応用を目指したBaSi2研究の進展 | 太陽電池材料開発の現在と未来 ―第5回半導体若手ワークショップ― | 仙台 | 2012年7月30, 31日 |
| 126 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，藤 克昭，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | アンドープBaSi2エピタキシャル薄膜の余剰キャリア寿命 | 第9回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 京都 | 2012年5月31日, 6月1日 |
| 127 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，藤 克昭，都甲 薫，末益 崇 | 微傾斜Si(111)基板を用いた巨大ドメインBaSi2エピタキシャル薄膜の作製 | 金属材料研究所第123回講演会 | 仙台 | 2012年5月23, 24日 |
| 128 | 岡田 淳史，都甲 薫，宇佐美 徳隆，原 康祐，末益 崇 | 下地導電膜の選択によるAl誘起結晶化Si薄膜の(100),(111)方位制御 | 第59回応用物理学関係連合講演会 | 早稲田 | 2012年3月15-18日 |
| 129 | 藤 克昭，小池 信太郎，都甲 薫，原 康祐，宇佐美 徳隆，齋藤 徳之，吉澤 徳子，末益 崇 | Si(110)基板上BaSi2薄膜の評価 | 第59回応用物理学関係連合講演会 | 早稲田 | 2012年3月15-18日 |
| 130 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，藤 克昭，馬場 正和，都甲 薫，末益 崇 | BaSi2エピタキシャル薄膜の余剰キャリア寿命 | 第59回応用物理学関係連合講演会 | 早稲田 | 2012年3月15-18日 |
| 131 | 原 康祐，星 裕介，宇佐美 徳隆，白木 靖寛，鈴野 光史，都甲 薫，末益崇 | 新規太陽電池材料BaSi2へのイオン注入によるBドーピング | 東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会 | 仙台 | ######### |
| 132 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，星 裕介，白木 靖寛，鈴野 光史，都甲 薫，末益 崇 | BF2イオン注入及びアニールによるBaSi2エピタキシャル薄膜の構造変化 | 金属材料研究所第122回講演会 | 仙台 | 2011年11月24, 25日 |
| 133 | 原 康祐，宇佐美 徳隆 | 薄膜太陽電池用新材料BaSi2の不純物ドーピング | 第4回東北大学光科学技術フォーラム | 仙台 | ######### |
| 134 | 原 康祐，山末 英嗣，奥村 英之，石原 慶一 | コバルトにおけるミリング誘起同素変態の分子動力学シミュレーション | 金属材料研究所第121回講演会 | 仙台 | 2011年5月24, 25日 |
| 135 | 岡田淳史，都甲薫，宇佐美徳隆，原康祐，末益崇 | 拡散抑制層が導電膜上のAl 誘起結晶化Si の配向面に与える影響 | 第72回応用物理学会学術講演会 | 山形 | 2011年8月29-9月2日 |
| 136 | 藤 克昭，岡田 淳史，馬場 正和，中村 航太郎，都甲 薫，末益崇，原 康祐，宇佐美 徳隆 | BaSi2膜のSi(100)基板上へのMBE成長 | 第72回応用物理学会学術講演会 | 山形 | 2011年8月29-9月2日 |
| 137 | 原 康祐，宇佐美 徳隆，星 裕介，白木 靖寛，鈴野 光史，都甲 薫，末益 崇 | BF2イオン照射したBaSi2エピタキシャル薄膜の高温アニール， | 第72回応用物理学会学術講演会 | 山形 | 2011年8月29-9月2日 |
| 138 | 末益 崇，都甲 薫，M. Ajmal Khan，Du weijie，岡田 淳史，藤 克昭，馬場 正和，中村 航太郎，米山 貴裕，宇佐美 徳隆，原 康祐，関口 隆史，陳 君，渡辺 健太朗，熊谷 和博，K. Jiptner | シリサイド半導体pn接合による薄膜結晶太陽電池を目指して | 第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム | 岐阜 | 2011年6月30日-7月1日 |
| 139 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | メカニカルミリングによるMoSi2の相変態におけるFeの影響 | 粉体粉末冶金協会平成22年度秋季大会 | 京都大学 | 2010年11月9-11日 |
| 140 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | メカニカルミリング中におけるMoSi2多形の動的平衡 | 粉体粉末冶金協会平成22年度春季大会 | 早稲田大学 | 2010年5月25-27日 |
| 141 | K.O. Hara, M. Janvier, D.H. Kim, S. Rey, Y. Ueki, M. Varman, J. Yaungket, M. Yuasa and K. Yamauchi | Study of CO2 reduction possibilities in the road transportation sector in Asia | 京都大学グローバルＣＯＥプログラム「地球温暖化時代のエネルギー科学拠点」平成21年度年次報告会 | 京都大学 | ######### |
| 142 | 原康祐 | メカニカルミリング中における相変態機構 | 京都大学グローバルＣＯＥプログラム「地球温暖化時代のエネルギー科学拠点」平成21年度年次報告会 | 京都大学 | ######### |
| 143 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | メカニカルミリングによるMoSi2の相変態 | 粉体粉末冶金協会平成21年度秋季大会 | 名古屋国際会議場 | 2009年10月27-29日 |
| 144 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | メカニカルミリング中における相安定性の評価指標 | 粉体粉末冶金協会平成21年度春季大会 | 京都工芸繊維大学 | 2009年6月2-4日 |
| 145 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | Ti4O7のメカノケミカル合成 | 日本金属学会2009年春期(第144回)大会 | 東京工業大学 | 2009年3月28-30日 |
| 146 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | Ti4O7のメカノケミカル合成 | 京都大学グローバルＣＯＥプログラム「地球温暖化時代のエネルギー科学拠点」キックオフシンポジウム | 京都大学 | 2009年1月28-29日 |
| 147 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | ボールミリング中におけるTi-O系の相安定性について | 粉体粉末冶金協会平成20年度春季大会 | 早稲田大学 | 2008年5月26-28日 |
| 148 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | Ti-TiO2のメカニカルアロイングによるTiOの合成 | 京都大学２１世紀COEプログラム「環境調和型エネルギーの研究教育拠点形成」成果発表会“新エネルギー技術の可能性を求めて” | 京都大学 | ######### |
| 149 | 原康祐，山末英嗣，奥村英之，石原慶一 | Ti-TiO2のメカニカルアロイングによるTiOの合成 | 粉体粉末冶金協会平成18年度秋季大会 | 大阪大学 | 2006年12月5-7日 |
