修士課程工学専攻先端材料理工学コース1年の鈴木達哉さんが第16回日本フラックス成長研究発表会で発表賞を受賞

令和4年12月15日山梨大学で開催された第16回日本フラックス成長研究発表会において、
修士課程工学専攻先端材料理工学コース1年の鈴木達哉さんが発表賞を受賞しました。
受賞題目は「Se置換CeO(Bi,Sb)S2単結晶の育成とその超伝導性の評価」です。
CeOBiS2超伝導体は、その超伝導化のメカニズムがあきらかになっておりません。
Sbを置換すると超伝導性が抑制され、Seを置換するとこれが強くなることが知られており、
そのメカニズムを調べるうえで必要である単結晶の育成に成功し、
超伝導および非超伝導の境界となる組成を部分的に明らかにしました。