修士課程先端材料理工学コース2年長崎傑さん、工学部先端材料理工学科4年各川敦史さん、河合美紅さん、矢澤大典さん、若狭大雅さんが渡辺勝儀記念賞を受賞しました。

修士課程先端材料理工学コース2年長崎傑さん、工学部先端材料理工学科4年各川敦史さん、河合美紅さん、矢澤大典さん、若狭大雅さんが渡辺勝儀記念賞を受賞しました。この渡辺勝儀記念賞は、平成30年度の先端材料理工学コース修士論文発表会、先端材料学科卒業論文発表会において優れた発表に対して贈られたものです。

長崎さんの修士論文題名は「歪み半導体薄膜の電気的評価と特性改善に関する研究」です。

各川さんの卒業論文題名は「SiGe/Si(110)ヘテロ構造上に形成したSi層の歪み緩和についての研究 」です。

河合さんの卒業論文題名は「遷移金属を導入したレピドクロサイト型僧正チタン酸塩の作製とその機能性の検討」です。

矢澤さんの卒業論文題名は「真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響」です。

若狭さんの卒業論文題名は「M2SiO4(M=Mg, Ca, Sr)系赤色蛍光体の探索と単結晶育成」です。