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研究成果 |
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“Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures” Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Shinji Koh, and Noritaka Usami |
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2006年 |
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論文 |
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“Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates” K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Ozawa, T. Hattori, J. Yamanaka, K. Suzuki, K. Arimoto, K. Nakagawa, and N. Usami |
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“Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication” Keisuke Arimoto, Daisuke Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Shinji Koh, Yasuhiro Shiraki, and Noritaka Usami |
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“Observation of strain field fluctuation in SiGe-relaxed buffer layers and its influence on overgrown structures” K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Strain-Field Evaluation of Strain-Relaxed Thin SiGe Layers Fabricated by Ion Implantation Method” Kentarou Sawano, Yusuke Ozawa, Atsushi Fukumoto, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Kumiko Suzuki, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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学会発表（国内） |
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特許 |
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2005年 |
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“Dislocation distribution in a strain-relaxed SiGe thin film grown on an ion-implanted Si substrate” Junji Yamanaka, Kentarou Sawano, Kumiko Suzuki, Kiyokazu Nakagawa, Yusuke Ozawa, Takeo Hattori, and Yasuhiro Shiraki |
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“Strain dependence of hole Hall mobility in compressively strained Ge channel heterostructures” Yasuhiro Abe, Hikaru Sato, Yusuke Ozawa, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“Formation of microcrystalline silicon and SiNx films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature” Tetsuya Sato, Minoru Mitsui, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yutaka Aoki, Shouji Sato, and Chiharu Miyata |
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“Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers” K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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国際会議 |
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“Observation of dislocations in strain-relaxed silicon-germanium thin films with flat surfaces grown on ion-implanted silicon substrates” Junji Yamanaka, Kentaro Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Kumiko Suzuki Yusuke Ozawa, Shinji Koh, Takeo Hattori, and Yasuhiro Shiraki |
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2004年 |
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“Correlation between electronic states and optical properties in indirect GaAsP/GaP quantum wells with insertion of an ultrathin AlP layer” K. Arimoto, N. Usami, and Y. Shiraki |
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2000年 |
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“Effect of the insertion of an Ultrathin AlP layer on the optical properties of GaAsP/GaP quantum wells” K. Arimoto, T. Sugita, N. Usami, and Y. Shiraki |
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1999年 |
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“Changes in Elastic Deformation of Strained Si by Micro-Fabrication” Keisuke Arimoto, Daisuke Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Shinji Koh, Yasuhiro Shiraki, and Noritaka Usami Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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2004年 |
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“Observation of Strain Field Fluctuation in SiGe Relaxed Buffer Layers and its Influence on Overgrown Structures” K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“High-Quality Thin SiGe Virtual Substrates Formed on Ion-Implanted Si Substrates” K. Sawano, J. Yamanaka, Y. Ozawa, K. Suzuki, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki Second International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“Elastic Strain Distribution in Narrow Strained Si Channels” Keisuke Arimoto, Daisuke Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Shinji Koh, Yasuhiro Shiraki, and Noritaka Usami Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors |
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“Strain field fluctuation in Strained-Si/SiGe heterostructures” K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors |
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“Formation of High-Quality Thin Strain-Relaxed SiGe Buffer Layers by Ion Implantation” Y. Ozawa, K. Sawano, J. Yamanaka, N. Usami, K. Suzuki, K. Arimoto, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors |
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“Transport Properties of Polycrystalline SiGe Thin Films Grown on SiO2” M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, and Y. Shiraki MRS Fall Meeting(2004), B 9, 22 November 29 - December 3, 2004, Boston, USA. |
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“Transport Properties of SPC-Poly SiGe Crystallized at 700°C and GSMBE-Poly SiGe Grown at 600°C” M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, N. Usami, and Y. Shiraki Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) |
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2005年 |
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“Determination of Lattice Parameters of Strained-Si/SiGe Heterostructures Grown on Si(110) Substrates” Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Shinji Koh, and Noritaka Usami Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) |
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“Formation of microcrystalline Silicon and SiNx films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature” Tetsuya Sato, Minoru Mitsui, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yutaka Aoki, Shouji Sato, and Chiharu Miyata Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) |
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“Strain Relaxation Mechanism of a SiGe Thin Film Grown on an Ion-Implanted Si substrate” Junji Yamanaka, Kentarou Sawano, Kumiko Suzuk, Kiyokazu Nakagawa, Yusuke Ozawa, Takeo Hattori, and Yasuhiro Shiraki Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) |
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“Strain Dependence of Hole Mobility” Y. Abe, H. Sato, Y. Ozawa, K. Sawano, Kiyokazu Nakagawa, and Y. Shiraki Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4) |
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“Growth temperature dependence of the lattice structures of SiGe films grown on Si(110) substrates by gas source MBE” Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, and Noritaka Usami The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006) |
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2006年 |
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“Influence of Ge atoms on mobility and junction properties of thin-film transistors fabricated on solid-phase crystallized poly-SiGe” Minoru Mitsui, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki |
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“Observation of dislocations in strain-relaxed silicon-germanium thin films with flat surfaces grown on ion-implanted silicon substrates” Junji Yamanaka, Kentaro Sawano, Kumiko Suzuki, Yusuke Ozawa, Kiyokazu Nakagawa, Shinji Koh, Yasuhiro Shiraki, and Takeo Hattori The European Materials Society 2004 Spring Meeting May 24 - 28, 2004, Strasbourg, France, C/P14 |
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“On the Origin of the Drastic Enhancement of the No-phonon Transition in GaAsP/GaP Indirect Quantum Wells with an Ultrathin AlP Layer” K. Sawano, M. Ikeda, K. Ohdaira, K. Arimoto, Y. Shiraki, and N. Usami |
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2001年 |
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“Thickness dependence of strain field distribution in SiGe relaxed buffer layers” K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Mobility Enhancement in Strained Ge Heterostructures by Planarization of SiGe Buffer Layers Grown on Si Substrates” Kentarou Sawano, Yasuhiro Abe, Hikaru Satoh, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures” K. Sawano, K. Arimoto, Y. Hirose, S. Koh, N. Usami, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki |
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2003年 |
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2007年 |
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“Strain and hole-density dependence of hole mobility in strained-Ge modulation-doped structures” K. Sawano, H. Satoh, Y. Kunishi, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Magnetotransport properties of Ge channels with extremely high compressive strain” K. Sawano, Y. Kunishi, Y. Shiraki, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, and K. Nakagawa |
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“Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties” K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE” Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, and Kazuo Nakajima |
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“Fabrication of Ta2O5/GeNx gate insulator stack for Ge metal-insulator- semiconductor structures by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation and sputtering deposition techniques” Yohei Otani, Yasuhiro Itayama, Takuo Tanaka, Yukio Fukuda, Hiroshi Toyota, Toshiro Ono, Minoru Mitsui, and Kiyokazu Nakagawa |
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2007年 |
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“Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions” K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and Y. Shiraki Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) |
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“Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing annealing atmosphere, and enhancement of Ni induced poly-crystallization of Si by Ar ion-implantation” J. Yamanaka, T. Horie, M. Mitsui, K. Arimoto, K. Nakagawa, T. Sato, K. Sawano, Y. Shiraki, T. Moritani, and M. Doi Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) |
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“Growth temperature dependence of the defect morphology in SiGe films grown on Si(110) substrates with step-graded buffer being employed” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) |
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“Characterizations of Polycrystalline SiGe Films on SiO2 Grown by Gas-Source Molecular Beam Deposition” M. Mitsui, M. Tamoto, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Sato, N. Usami, K. Sawano, and Y. Shiraki Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) |
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“Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique” K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, K. Nakagawa, and Y. Shiraki Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) |
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“Strain Relaxation and Induced Defects in SiGe Thin Films Grown on Ion-Implanted Si Substrates” Junji Yamanaka, Kentaro Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Kumiko Suzuki Yusuke Ozawa, Shinji Koh, Takeo Hattori, and Yasuhiro Shiraki |
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“Enhancement of Strain Relaxation of SiGe Thin Layers by Pre-Ion-Implantation into Si Substrates” K. Sawano, Y. Hirose, Y. Ozawa, S. Koh, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki |
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“Elimination of parasitic channels in strained-Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors” N. Sugii, S. Yamaguchi, and K. Nakagawa |
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2002年 |
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“Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces” K. Nakagawa, S. Yamaguchi, N. Sugii, and Y. Shiraki |
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“Surface smoothing of SiGe strained-relaxed buffer layer by chemical mechanical polishing” K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Compressive strain dependence of hole mobility in strained Ge channels” Kentarou Sawano, Yasuhiro Abe, Hikaru Satoh, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“Strained Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique” K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, Y. Shiraki, J. Yamanaka, and K. Nakagawa |
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“In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures” K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakagawa |
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“Formation of thin SiGe virtual substrates by ion implantation into Si substrates” K. Sawano, S. Koh, Y. Hirose, T. Hattori, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Mobility enhancement in strained-Ge modulation-doped structures by planarization of SiGe buffer layers” K. Sawano, H. Satoh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, vol.32, pp.520-523 |
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“Quality of SiO2 and of SiGe formed by oxidation of Si/Si0.7Ge0.3 heterostructure using atomic oxygen at 400 °C” H. Nohira, T. Kuroiwa, M. Nakamura, Y. Hirose, J. Mitsui, W. Sakai, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura, K. Sawano, K. Nakagawa, Y. Shiraki, and T. Hattori |
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“Relaxation enhancement of SiGe thin layers by ion implantation into Si substrates” K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, and Y. Shiraki |
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“Surface Planarization of Strain-Relaxed SiGe Buffer Layers by CMP and Post Cleaning” K. Sawano, K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Hirose, T. Hattori, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Hole density dependence of effective mass, mobility and transport time in strained Ge channel modulation-doped heterostructures” T. Irisawa, M. Myronov, O.A. Myronov, E.H.C. Parker, K. Nakagawa, M. Miura, S. Koh, and Y. Shiraki |
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“Hole transport properties of B-doped relaxed SiGe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy” Shinji Koh, Kazuhiro Murata, Toshifumi Irisawa, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“Growth of SiGe/Ge/SiGe heterostructures with ultrahigh hole mobility and their device application” T. Irisawa, S. Koh, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Mobility enhancement in strained Si modulation-doped structures by chemical mechanical polishing” K. Sawano, S. Koh, Y. Shiraki, Y. Hirose, T. Hattori, and K. Nakagawa |
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“Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures” T. Irisawa, S. Tokumitsu, H. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh, and Y. Shiraki |
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“非晶質シリコンのマイクロ波加熱による結晶化の雰囲気依存性” 芦澤里樹、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、荒井哲司、 高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第68回応用物理学会学術講演会 4a-P2-12 （北海道工業大学） |
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2007年 |
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“Si(110)基板上に成長した傾斜組成SiGeのモフォロジーの成長温度依存性” 渡邊正人、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、中嶋一雄、 澤野憲太郎、白木靖寛 第68回応用物理学会学術講演会 4a-E-9 （北海道工業大学） |
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“圧縮歪みGeにおける正孔有効質量の正孔密度依存性に関する計算” 有元圭介、国司侑吾、澤野憲太郎、佐藤優、當山清彦、岡本徹、 宇佐美徳隆、中川清和、白木靖寛 第68回応用物理学会学術講演会 4p-E-1 （北海道工業大学） |
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“Si/歪みSiGe/Si 構造を用いて形成した酸化膜/半導体の界面状態に与える 熱酸化時間の影響” 三井実、野澤明子、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、 宇佐美徳隆、福田幸夫、澤野憲太郎、白木靖寛 第68回応用物理学会学術講演会 4p-E-5 （北海道工業大学） |
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“金属誘起固相成長法における雰囲気の影響” 堀江忠司、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、 白木靖寛、森谷智一、土井稔 第54回応用物理学関係連合講演会 28p-SM-18 （青山学院大学） |
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“マイクロ波加熱による非晶質シリコンの結晶化” 芦澤里樹、三井実、堀江忠司、有元圭介、山中淳二、中川清和、 荒井哲司、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 30p-SM-2 （青山学院大学） |
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“ゲート酸化膜中のGeドットの形成とメモリ応用” 久保充、三井実、山中淳二、有元圭介、中川清和 第54回応用物理学関係連合講演会 27a-N-5 （青山学院大学） |
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“SiGe歪み細線構造の構造評価と電気伝導特性” 清水香奈、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 27a-N-7 （青山学院大学） |
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“分子線堆積によるSiO2基板上多結晶SiGe薄膜の形成” 三井実、田本守、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 27a-N-9 （青山学院大学） |
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“Si(110)基板への傾斜組成SiGe 層のガスソースMBE成長” 有元圭介、渡邊正人、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 27p-N-4 （青山学院大学） |
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“ノンドープSGOI層の電気特性の評価” 佐藤元樹、有元圭介、中川清和、山中淳二、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 27p-N-14 （青山学院大学） |
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2006年 |
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“Si+イオン注入法による高品質SiGeバッファー層の作製” 星裕介、福本敦之、平岡良康、澤野憲太郎、有元圭介、山中淳二、 中川清和、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 27p-N-14 （青山学院大学） |
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“ECRプラズマ照射法によるGeNx層の形成とXPS評価” 板山泰裕、田中拓男、大谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、中川清和、 豊田宏、小野俊郎 第54回応用物理学関係連合講演会 （青山学院大学） |
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“歪みGeチャネル構造における正孔有効質量の正孔密度依存性” 国司侑吾、澤野憲太郎、佐藤雄、當山清彦、岡本徹、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第54回応用物理学関係連合講演会 （青山学院大学） |
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“低速電子線誘起堆積法とH原子トンネル反応を利用した 水素化アモルファスシリコンの合成” 佐藤哲也、小林憲明、今村友一、中川清和、佐藤昇司 第54回応用物理学関係連合講演会 （青山学院大学） |
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“シリコン窒化膜の極低温合成に関する研究” 小林憲明、今村友一、佐藤哲也、中川清和、佐藤昇司 第49回放射線化学討論会 |
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“金属誘起固相成長法により形成された多結晶Si薄膜のTEM観察” 堀江忠司、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和 日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム（山梨大学） |
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“SiGe-MOS構造形成と界面準位制御に関する研究” 野澤明子、三井実、有元圭介、中川清和、宇佐美徳隆、福田幸夫 日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム（山梨大学） |
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“TEOSを用いたプラズマCVD法によるSiO2/SiGe形成（2）” 荒井哲司、平田真大、土屋勇介、三井実、有元圭介、佐藤哲也、 中川清和、福田幸夫、高松利行、佐藤昇司 第67回応用物理学会学術講演会 31p-P12-4 （立命館大学） |
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“Ge層を導入した低温ソース・ドレイン領域形成法とそのイオン注入条件の検討” 三井実、有元圭介、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛 第67回応用物理学会学術講演会 29p-ZQ-7 （立命館大学） |
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“SiGe歪み細線構造の形成” 清水香奈、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第67回応用物理学会学術講演会 31p-ZG-5 （立命館大学） |
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“TEOS酸化膜の界面準位密度と酸化膜内欠陥密度” 土屋勇介、竹田良平、三井実、有元圭介、佐藤哲也、中川清和、 福田幸夫、青木裕、佐藤昇司 第53回応用物理学関係連合講演会 23a-W-1 （武蔵工業大学） |
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“Geイオン注入法による超平坦な薄膜SiGe緩和層の作製” 福本敦之、澤野憲太郎、星祐介、有元圭介、山中淳二 、中川清和、 白木靖寛 第53回応用物理学関係連合講演会 22a-ZE-7 （武蔵工業大学） |
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“SiGe擬似基板の歪み場ゆらぎがその表面洗浄工程に与える影響” 澤野憲太郎、大竹省自、宇佐美徳隆、有元圭介、中川清和、白木靖寛 第53回応用物理学関係連合講演会 22a-ZE-8 （武蔵工業大学） |
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“ガスソースMBE法により作製したSiGe/Si(110)における 歪み緩和機構の成長温度依存性” 有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、白木靖寛 第53回応用物理学関係連合講演会 22a-ZE-10 （武蔵工業大学） |
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“ノンドープ緩和SiGeの電気特性の評価” 佐藤元樹、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 澤野憲太郎、白木靖寛 第53回応用物理学関係連合講演会 23a-ZD-5 （武蔵工業大学） |
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“ECR窒素プラズマ照射GeO2/Ge上へのECR-Ta2O5の形成と特性” 大谷洋平、板山泰裕、福田幸夫、豊田宏、小野俊郎、 三井実、中川清和、上野智雄 第67回応用物理学会学術講演会 （立命館大学） |
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“Geチャネル構造における正孔有効質量の歪み依存性” 国司侑吾、澤野憲太郎、當山清彦、岡本徹、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第67回応用物理学会学術講演会 （立命館大学） |
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“Geチャネル構造における散乱要因の歪み依存性” 澤野憲太郎、當山清彦、岡本徹、国司侑吾、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第67回応用物理学会学術講演会 （立命館大学） |
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“低速電子誘起化学気相成長法によるSiNx膜の極低温合成” 佐藤哲也、小林憲明、今村友一、三井実、中川清和、 青木裕、佐藤昇司 第67回応用物理学会学術講演会 （立命館大学） |
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2005年 |
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“SiGe緩和バッファー層における歪み場の膜厚依存性” 澤野憲太郎、大竹省自、宇佐美徳隆、有元圭介、中川清和、白木靖寛 第66回応用物理学会学術講演会 8a-P5-7 （徳島大学） |
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“ラマン分光法によるSi(110)基板上の歪みSi薄膜の歪み率測定” 有元圭介、池田周平、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛、宇佐美徳隆 第66回応用物理学会学術講演会 8a-P5-12 （徳島大学） |
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“SiO2上に形成した多結晶SiGe-TFTのリーク電流評価” 三井 実、有元圭介、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、白木靖寛 第66回応用物理学会学術講演会 8a-P5-24 （徳島大学） |
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“SiO2/Si1-xGex界面の電気的評価” 土屋勇介、三井 実、有元圭介、中川清和、佐藤哲也、福田幸夫、 澤野憲太郎、白木靖寛 第66回応用物理学会学術講演会 8a-P5-25 （徳島大学） |
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“Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析（２）” 有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛、 黄晋二、宇佐美徳隆 第52回応用物理学関係連合講演会 31a-ZL-8 （埼玉大学） |
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“Geを用いた新規低温ソースドレイン領域形成法” 三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛 第52回応用物理学関係連合講演会 31a-R-7 （埼玉大学） |
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2004年 |
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“Si基板上に成長したノンドープ緩和SiGeの電気伝導特性” 佐藤元樹、土屋勇介、有元圭介、中川清和、澤野憲太郎、 黄晋二、白木靖寛 第65回応用物理学会学術講演会 2p-X-15 （東北学院大学） |
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“歪みGeチャネルへテロ構造における移動度の歪み依存性” 阿部泰宏、小澤優介、澤野憲太郎、有元圭介、中川清和、 服部健雄、白木靖寛 第65回応用物理学会学術講演会 （東北学院大学） |
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“歪みGeチャネル変調ドープ構造におけるSiGeバッファー層表面ラフネスの影響” 澤野憲太郎、阿部泰宏、小澤優介、有元圭介、中川清和、 服部健雄、白木靖寛 第65回応用物理学会学術講演会 （東北学院大学） |
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“多結晶SiGe薄膜の電気伝導特性評価” 三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛 第65回応用物理学会学術講演会 3a-P9-31 （東北学院大学） |
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“Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析” 有元圭介、阪本靖、布留川大輔、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、 黄晋二、白木靖寛、宇佐美徳隆 第51回応用物理学関係連合講演会 30a-YL-6 （東京工科大学） |
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“イオン注入法によるSiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎの低減” 小澤優介、澤野憲太郎、山中淳二、宇佐美徳隆、鈴木久美子、有元圭介、 黄晋二、中川清和、服部健雄、白木靖寛 第51回応用物理学関係連合講演会 30p-YL-2 （東京工科大学） |
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“多結晶Si1-xGex薄膜の形成と電気伝導特性” 三井実、加藤敦、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、 黄晋二、白木靖寛 第51回応用物理学関係連合講演会 30p-YL-6 （東京工科大学） |
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2003年 |
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“４半導体へテロ構造形成と素子応用” 中川清和 第48回人工結晶討論会（招待講演） |
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“金属誘起固相成長法により作製した多結晶Si1-xGex薄膜デバイスの電気伝導特性” 三井実、加藤敦、有元圭介、中川清和、澤野憲太郎、黄晋二、白木靖寛 第64回応用物理学会学術講演会 31a-H-2 （福岡大学） |
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“SiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎがヘテロ構造に及ぼす影響” 澤野憲太郎、宇佐美徳隆、有元圭介、黄晋二、中川清和、白木靖寛 第64回応用物理学会学術講演会 31p-H-1 （福岡大学） |
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“Si基板上に成長したi-SiGeの電気伝導特性” 佐藤元樹、土屋勇介、有元圭介、中川清和、澤野憲太郎、 黄晋二、白木靖寛 第64回応用物理学会学術講演会 31p-H-3 （福岡大学） |
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“歪みSi MOSFETにおける電子移動度の素子サイズ依存性” 有元圭介、阪本靖、布留川大輔、山中淳二、中川清和、 澤野憲太郎、黄晋二、白木靖寛、宇佐美徳隆 第64回応用物理学会学術講演会 31p-H-15 （福岡大学） |
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“空間分解ラマン分光法を用いた微細歪みSi素子の歪み緩和の検討” 有元圭介、布留川大輔、中川清和、澤野憲太郎、黄晋二、 白木靖寛、宇佐美徳隆 第50回応用物理学関係連合講演会 29p-ZV-10 （神奈川大学） |
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2002年 |
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“空間分解ラマン分光法によるSiGe緩和バッファー層の歪み分布測定” 澤野憲太郎、宇佐美徳隆、小澤優介、有元圭介、廣瀬佳久、 黄晋二、中川清和、服部健雄、白木靖寛 第63回応用物理学会学術講演会 26a-P11-27 （新潟大学） |
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“超高移動度素子用ヘテロ構造形成と素子応用” 中川清和 第50回応用物理学関係連合講演会シンポジウム（招待講演、神奈川大学） |
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“緩和SiGeエピタキシャル薄膜における正孔移動度のGe組成依存性” 村田和弘、黄晋二、金子佳憲、入沢寿史、中川清和、白木靖寛 第63回応用物理学会学術講演会 （新潟大学） |
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“緩和SiGeエピタキシャル薄膜における正孔移動度の不純物濃度依存性” 黄晋二、村田和弘、入沢寿史、中川清和、白木靖寛 第49回応用物理学関係連合講演会 （東海大学） |
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“歪みGeチャネル変調ドープ構造におけるパラレル伝導の低減” 入沢寿史、徳光成太、黄晋二、中川清和、白木靖寛 第49回応用物理学関係連合講演会 （東海大学） |
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2003年 |
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“Thermal stability and device application of SiGe/Ge/SiGe heterostructures with extremely high hole mobility” T. Irisawa, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures (Santa Fe, New Mexico, USA) |
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2002年 |
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“Growth of ultrahigh mobility SiGe/Ge/SiGe heterostructures with very small parallel conduction and their device application” T. Irisawa, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki International Conference on Molecular Beam Epitaxy (San Francisco, USA) |
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“Formation of SiGe Heterostructure and Its Application to Devices” Kiyokazu. Nakagawa The 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials (Invited) |
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2001年 |
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“Reverse Temperature Dependence of Sb Sticking on Si(100) Surfaces” K. Nakagawa, S. Yamaguchi, N. Sugii, Y. Shiraki E-MRS Spring Meeting 2001 Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (Strasbourg, France) |
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“Surface Smoothing of SiGe Strain-relaxed Buffer Layers by Chemical Mechanical Polishing” K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki E-MRS Spring Meeting 2001 Second International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (Strasbourg, France) |
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“The use of porous Si to control strain status in SiGe” Noritaka Usami, Kentaro Kutsukake, Kazuo Nakajima, Sevak Amtablian, Alain Fave, Mustapha Lemiti, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa 3rd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics Nov. 8-9, 2007, Sendai, Japan |
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2008年 |
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“New Structure of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor with Germanium Layer in Source/Drain Regions for Low-Temperature Device Fabrication” Minoru Mitsui, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, and Yasuhiro Shiraki |
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“On Effects of Gate Bias on Hole Effective Mass and Mobility in Strained-Ge Channel Structures” Kentarou Sawano, Yugo Kunishi, Yuu Satoh, Kiyohiko Toyama, Keisuke Arimoto, Toru Okamoto, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“ECR法によるGeNx形成前のECR酸素プラズマ照射の効果に関する検討” 王谷洋平、福田幸夫、佐藤哲也、中川清和、豊田宏、小野俊郎 第55回応用物理学関係連合講演会 29p-H-8 （日本大学） |
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2008年 |
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“ECR法によるSi3N4/GeNx/Ge MISキャパシタ界面特性の成膜温度依存性” 笠原康司、王谷洋平、福田幸夫、豊田宏、小野俊郎、有元圭介、 佐藤哲也、中川清和 第55回応用物理学関係連合講演会 29p-H-9 （日本大学） |
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“低温トンネル反応と低速電子線誘起反応を利用して合成したSiNxの 電気特性評価” 小林憲明、伊東佑将、佐藤哲也、三井実、有元圭介、山中淳二、 中川清和、佐藤昇司 第55回応用物理学関係連合講演会 30p-H-8 （日本大学） |
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“マイクロ波プラズマ加熱による非晶質シリコンの結晶化における加熱機構” 芦澤里樹、有泉慧、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、荒井哲司、 高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 29a-G-3 （日本大学） |
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“アモルファスSiの固相結晶成長に与える酸化膜基板形状の影響” 板山泰裕、三井実、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、 白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 29a-G-6 （日本大学） |
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“傾斜組成SiGe/Si(110)と均一SiGe/Si(110)の歪み緩和機構” 渡邊正人、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、中嶋一雄、 澤野憲太郎、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-1 （日本大学） |
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“イオン注入法による高Ge組成薄膜緩和SiGe層の開発” 星裕介、澤野憲太郎、平岡良康、宇佐美徳隆、中川清和、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-2 （日本大学） |
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“選択的イオン注入法によるSiGe層の面内歪み制御” 平岡良康、星裕介、河南信治、澤野憲太郎、中川清和、宇佐美徳隆、 白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-3 （日本大学） |
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“選択成長を利用したV溝基板上へのSiGe細線形成と電気伝導特性” 川口元気、有元圭介、中川清和、山中淳二、清水香奈、渡邊正人、 宇佐美徳隆、澤野憲太郎、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-4 （日本大学） |
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“歪みGeチャネル構造における正孔移動度の正孔密度依存性” 佐藤雄、国司侑吾、澤野憲太郎、當山清彦、有元圭介、岡本徹、 宇佐美徳隆、中川清和、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-6 （日本大学） |
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“高移動度p-MOSFETのための表面Ge濃縮層/歪みSiGe層構造の形成” 佐藤元樹、奥村景星、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、 宇佐美徳隆、中嶋一雄、澤野憲太郎、白木靖寛 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-7 （日本大学） |
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“Geドット形成法の開発と不揮発性メモリへの応用” 永島慧一、久保充、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-14 （日本大学） |
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“シリコン基板上に成長したシリコン・カーボン混晶薄膜の熱的安定性” 井上樹範、佐藤元樹、伊藤章弘、有元圭介、山中淳二、中川清和、 森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-F-20 （日本大学） |
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“シリコン基板上のシリコン‐カーボン混晶薄膜の相分離” 井上樹範、佐藤元樹、伊藤章弘、有元圭介、山中淳二、中川清和、 森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 日本顕微鏡学会・第32回関東支部講演会 （東京工業大学） |
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“低温成長法を用いた緩和SiGe基板の作製” 井上樹範、Maksym Myronov、山中淳二、有元圭介、中川清和、 澤野憲太郎、白木靖寛 応用物理学会結晶工学分科会2007年・年末講演会 （学習院大学） |
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“低速電子誘起成膜法によるSiNxの極低温合成と物性評価” 小林憲明、伊東佑将、佐藤哲也、三井実、有元圭介、山中淳二、 中川清和、佐藤昇司 第50回放射線化学討論会 1O05, p.9-10, 2007.10.10-10.12（京都大学、宇治キャンパス） |
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“有機フィルム基板上へのSiNxおよびa-Si:Hの極低温形成” 佐藤哲也、伊東佑将、小林憲明、中川清和、青木裕、佐藤昇司、宮田千治 第50回放射線化学討論会 P24, p.145-146, 2007.10.10-10.12（京都大学、宇治キャンパス） |
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“Acceptorlike Behavior of Defects in SiGe Alloys Grown by Molecular Beam Epitaxy” Motoki Satoh, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Shinji Koh, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, and Kazuo Nakajima |
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2008年 |
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“Development of Thin SiGe Virtual Substrate with High Ge Composition by ion implantation Method” Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Satoh, A. Yamada, Y. Ogawa, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakagawa 4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“Strain Relaxation Mechanisms in Compositionally Uniform and Step-Graded SiGe Films Grown on Si(110) Substrates” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima 4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“Local Strain Control of SiGe by Selective Ion Implantation Technique” K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, S. Kannan, Y. Shiraki, N. Usami, K. Nakagawa 4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“Selective and Rapid Heating Method for Polycrystallization of Amorphous Si Using Microwave Plasma Irradiation” S. Ashizawa, S. Ariizumi, M. Mitsui, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Arai, T. Takamatsu, K. Sawano, and Y. Shiraki 4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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“Crystalline morphology of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Structural and transport properties of strained Ge and SiGe grown on patterned substrates” G. Kawaguchi, K. Shimizu, K. Arimoto, M. Watanabe, K. Nakagawa, J. Yamanaka, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Strain relaxation mechanism in step-graded SiGe/Si(110) structure grown at 650 - 850 °C” M. Watanabe, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“非晶質Si薄膜のNi誘起結晶化のAr+イオン注入による促進効果” 三井実、堀江忠司、山中淳二、有元圭介、 澤野憲太郎、白木靖寛、中川清和 日本金属学会2007年秋季(第141回)大会 2007.9.19-9.21（岐阜大学、講演番号233, p.248） |
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“Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique” K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high-Ge composition by ion implantation method” Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Germanide/Geショットキー接合の形成とバリアハイトの評価” 青島剛嗣、福田幸夫、三井実、中川清和、真岩宏司 第53回応用物理学関係連合講演会 26a-P10-3 （武蔵工業大学） |
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“Development of Thin SiGe Relaxed Layers with High-Ge Composition by Ion Implantation Method and Application to Strained Ge Channels” Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yoshiyasu Hiraoka, Yuu Satoh, Yuta Ogawa, Atsunori Yamada, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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“Elastic theory for strained heterostructures with in-plane anisotropy” Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa |
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“マイクロ波プラズマCVD法によるゲート酸化膜の形成” 平田真大、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、荒井哲司、 高松利行、佐藤昇司、青木裕 第69回応用物理学会学術講演会 4a-CB-10 （中部大学） |
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“μ波プラズマ中の金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術” 有泉慧、芦澤里樹、池野祐喜、板山泰裕、有元圭介、山中淳二、 中川清和、荒井哲司、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第69回応用物理学会学術講演会 2a-CH-7 （中部大学） |
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“非晶質Siの細線加工による固相成長多結晶Si内部の応力分布の制御” 板山泰裕、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛 第69回応用物理学会学術講演会 3p-CH-9 （中部大学） |
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“Si(110)基板上に形成した歪みSi/SiGe構造の歪み解析” 有元圭介、矢嶋利彦、中川清和、宇佐美徳隆、中嶋一雄、 澤野憲太郎、白木靖寛 第69回応用物理学会学術講演会 3p-CE-13 （中部大学） |
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“Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程” 星裕介、澤野憲太郎、平岡良康、山田淳矩、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第69回応用物理学会学術講演会 3p-CE-12 （中部大学） |
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“選択的イオン注入により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測” 山田淳矩、澤野憲太郎、星裕介、平岡良康、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第69回応用物理学会学術講演会 3p-CE-14 （中部大学） |
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“Mechanism of strain relaxation in SiGe films grown on Si(110) substrates” K. Arimoto, M. Watanabe, T. Yajima, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima 4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics |
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“Microstructure change of an As+ ion-implanted Si0.99C0.01/Si by rapid thermal annealing” S. Inoue, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, A. Moriya, Y. Inokuchi and Yasuo Kunii 4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics |
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“Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima |
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“Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned substrates” K. Arimoto, G. Kawaguchi, K. Shimizu, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki |
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“Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Nakajima, K. Sawano, and Y. Shiraki |
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“Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima |
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“Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique” K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions” K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, J. Yamanaka, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO2 grown by gas-source molecular beam deposition” M. Mitsui, M. Tamoto, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Sato, N. Usami, K. Sawano, Y. Shiraki |
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“Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing the annealing atmosphere” J. Yamanaka, T. Horie, M. Mitsui, K. Arimoto, K. Nakagawa, T. Sato, K. Sawano, Y. Shiraki, T. Moritani, and M. Doi |
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“Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation” K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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2009年 |
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“Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high-Ge composition by ion implantation method” Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Sato, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique” K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa, Y. Shiraki |
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2009年 |
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“メタン凝縮層の低速電子線衝撃による炭素薄膜の極低温合成(II)” 佐藤哲也、井草裕志、伊東佑将、小林憲明、荒井哲司、中川清和、 佐藤昇司 第56回応用物理学関係連合講演会 30a-TC-1 （筑波大学） |
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“マイクロ波プラズマ加熱による非晶質酸化チタン薄膜の結晶化” 佐藤哲也、過皓晟、本郷健太、村松親雄、今村友一、荒井哲司、有泉慧、 中川清和、高松利行、佐藤幸治 第56回応用物理学関係連合講演会 31a-ZT-13 （筑波大学） |
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“μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した 多結晶シリコン形成技術2” 荒井哲司、有泉慧、池野祐喜、板山泰裕、有元圭介、山中淳二、 佐藤哲也、中川清和、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第56回応用物理学関係連合講演会 31a-T-9 （筑波大学） |
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“As+イオン注入したSi-C混晶半導体薄膜のRTA処理による組織変化” 井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛、 森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 第56回応用物理学関係連合講演会 30p-E-7 （筑波大学） |
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“選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性” 星裕介、澤野憲太郎、平岡良康、山田淳矩、有元圭介、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第56回応用物理学関係連合講演会 30p-E-8 （筑波大学） |
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“Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates” K. Arimoto, M. Watanabe, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima |
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“低速電子線誘起堆積法と水素原子の低温トンネル反応による 炭素薄膜の極低温合成” 伊東佑将、胡雪氷、土屋新平、森田直樹、荒井哲司、佐藤哲也、 中川清和 第70回応用物理学会学術講演会 9p-F-14 （富山大学） |
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“HfO2/歪みGeチャネル変調ドープ構造における正孔移動度の正孔密度依存性 ” 星裕介、佐藤雄、澤野憲太郎、小川佑太、有元圭介、宇佐美徳隆、 中川清和、白木靖寛 第70回応用物理学会学術講演会 10a-P6-6 （富山大学） |
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“Si(111)基板上へのSiGe層のMBE成長と結晶性評価” 小川佑太、星裕介、澤野憲太郎、有元圭介、中川清和、白木靖寛 第70回応用物理学会学術講演会 10a-P6-7 （富山大学） |
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“As+, B+, Si+ イオン注入したSi-C混晶半導体膜のRTA処理による組織変化” 井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛、 森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 第70回応用物理学会学術講演会 10a-P6-17 （富山大学） |
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“(110)面上に形成された歪みSi薄膜の結晶性の改善” 八木聡介、有元圭介、中川清和、宇佐美徳隆、中嶋一雄、 澤野憲太郎、白木靖寛 第70回応用物理学会学術講演会 10a-P6-20 （富山大学） |
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“歪みシリコン中の正孔有効質量の面方位依存性 ” 有元圭介、中川清和 第70回応用物理学会学術講演会 10a-P6-21 （富山大学） |
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“Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures” K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“低速電子線誘起反応とトンネル反応により合成した炭素薄膜の表面分析” 森田直樹、伊東佑将、胡雪氷、土屋新平、渡辺陵、佐藤哲也、 山本千綾、有元圭介、山中淳二、中川清和 2009年度 実用表面分析講演会 （山梨大学） |
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“Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation” Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, K. Arimoto, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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2010年 |
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“Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique” Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki |
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“Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers” R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martínez, K. Arimoto, R. Castro-García, O. Villalobos-Aguilar, A. Lastras-Martínez, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami, and K. Nakajima |
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2009年 |
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“Ion dose and species dependence of strain relaxation of SiGe buffer layers formed by ion-implantation technique” Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, A. Yamada, K. Arimoto, N. Usami, K. Nakagawa, and Y. Shiraki 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6) |
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“Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique” Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Yasuhiro Shiraki |
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2010年 |
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“Ge濃縮層/SiGe層/Si(100)構造の形成と素子応用” 奥村景星、中川清和、有元圭介、山中淳二、佐藤元樹、井上樹範、 澤野憲太郎、白木靖寛 第57回応用物理学関係連合講演会 17p-TJ-9 （東海大学） |
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“選択的イオン注入法により作製された一軸性歪みSiGeの歪み状態に与える メサエッチの影響” 星裕介、澤野憲太郎、山田淳矩、永倉壮、有元圭介、宇佐美徳隆 中川清和、白木靖寛 第57回応用物理学関係連合講演会 17p-TJ-12 （東海大学） |
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“熱処理の歪みSi1-yCy/Siヘテロ構造と素子特性に与える影響” 長葭一利、佐藤元樹、井上樹範、伊藤章弘、有元圭介、山中淳二、 中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛、森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 第57回応用物理学関係連合講演会 17p-TJ-13 （東海大学） |
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“正孔有効質量への圧縮および伸長歪みの影響” 有元圭介、中川清和 第57回応用物理学関係連合講演会 17p-TJ-15 （東海大学） |
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“低速電子線誘起反応と低温トンネル反応により合成した炭素膜のTEM観察 ” 森田直樹、伊東佑将、渡辺陵、荒井哲司、佐藤哲也、山本千綾、 有元圭介、山中淳二、中川清和 第57回応用物理学関係連合講演会 19a-TV-8 （東海大学） |
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“Reflectance Difference Spectroscopy of SiGe(110) virtual substrates” Raul E. Balderas-Navarro, Luis F. Lastras-Martínez, Keisuke Arimoto, Ricardo Castro-García, Alfonso Lastras-Martínez, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, and Kazuo Nakajima 5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V) |
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2010年 |
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“Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique” Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“CH4/Ar固体薄膜への低速電子線衝撃： Arマトリックス単離赤外分光法による反応解析” 佐藤哲也、渡邊陵、小林直樹、森田直樹、伊東佑将、荒井哲司、 宮嶋尚哉、中川清和 第71回応用物理学会学術講演会 16a-ND-9 （長崎大学） |
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“マイクロ波励起プラズマ加熱を用いた新しい加熱技術の開発” 中村浩之、荒井哲司、高松利行、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、 中川清和 第71回応用物理学会学術講演会 16p-ZH-10 （長崎大学） |
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“(110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係” 八木聡介、有元圭介、中川清和、宇佐美徳隆、中嶋一雄、澤野憲太郎、 白木靖寛 第71回応用物理学会学術講演会 14p-ZQ-3 （長崎大学） |
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“Ar+およびSi+イオン注入欠陥がSiGe層の歪緩和に与える影響” 星裕介、澤野憲太郎、宇佐美徳隆、有元圭介、中川清和、白木靖寛 第71回応用物理学会学術講演会 14p-ZQ-4 （長崎大学） |
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“イオン注入法によるSi(111)基板上緩和SiGeバッファ層の作製” 久保智史、澤野憲太郎、星裕介、中川清和、白木靖寛 第71回応用物理学会学術講演会 14p-ZQ-5 （長崎大学） |
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“選択的イオン注入法により作製される一軸性歪みSiGeの表面構造評価” 永倉壮、星裕介、澤野憲太郎、宇佐美徳隆、中川清和、白木靖寛 第71回応用物理学会学術講演会 14p-ZQ-6 （長崎大学） |
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“Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels” K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki |
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“Effect of line width on uniaxial strain states of SiGe layers fabricated by selective ion implantation ” Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) |
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2011年 |
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“Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channel” K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami and Y. Shiraki |
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“Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation” Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki |
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“マイクロ波励起プラズマを用いた加熱技術の開発:金属種依存性” 中村浩之、荒井哲司、高松利行、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、 中川清和 第58回応用物理学関係連合講演会 24a-P2-19 （神奈川工科大学） |
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“歪みGeチャネルにおける正孔有効質量の歪み依存性と散乱機構” 「シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演」 澤野憲太郎、當山清彦、枡富龍一、岡本徹、宇佐美徳隆、有元圭介、 中川清和、白木靖寛 第58回応用物理学関係連合講演会 24p-KW-3 （神奈川工科大学） |
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“水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶ゲルマニウム形成技術” 荒井哲司、中村浩之、川口裕樹、山本千綾、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、 中川清和、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛 第58回応用物理学関係連合講演会 27p-KF-3 （神奈川工科大学） |
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“Si(100)基板上に形成したSiO2/歪みSi1-xCx構造の界面準位密度評価” 矢崎祐耶、古川洋志、井上樹範、有元圭介、山中淳二、中川清和、 宇佐美徳隆、森谷敦、井ノ口泰啓、国井泰夫 第58回応用物理学関係連合講演会 27p-KF-4 （神奈川工科大学） |
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“ガスソースMBE法による圧縮歪みSi/緩和Si1-xCx/Siヘテロ構造の形成” 古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆 第58回応用物理学関係連合講演会 27p-KF-5 （神奈川工科大学） |
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“Si(110)傾斜基板上に形成された歪みSi-nMOSFETにおける電子移動度の評価” 中澤拓希、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、 白木靖寛 第58回応用物理学関係連合講演会 27p-KF-7 （神奈川工科大学） |
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“低速電子線照射により極低温合成したカーボン膜のESRによる構造欠陥評価” 小林直樹、山田竜太郎、年森隆明、森田直樹、佐藤哲也、有元圭介、 山中淳二、中川清和 第72回応用物理学会学術講演会 31a-P4-5 （山形大学） |
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“2段階成長法によるSi(111)基板上Ge薄膜の作製” 久保智史、星裕介、澤野憲太郎、浜屋宏平、宮尾正信、有元圭介、山中淳二、 中川清和、白木靖寛 第72回応用物理学会学術講演会 31a-P15-1 （山形大学） |
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“水素プラズマを用いた加熱技術の開発” 中村浩之、荒井哲司、高松利行、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、 川口裕樹 第72回応用物理学会学術講演会 1p-M-4 （山形大学） |
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“水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si1-xGex形成技術” 川口裕樹、荒井哲司、中村浩之、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、高松利行、 中川清和、澤野憲太郎、星裕介、白木靖寛 第72回応用物理学会学術講演会 1p-M-11 （山形大学） |
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2011年 |
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“Selective Heating Method for Poly-crystallization of Amorphous Si Using Hydrogen Microwave Plasma” T. Arai, H. Nakamura, S. Ariizumi, A. Ashizawa, T. Takamatsu, K. Arimoto, J. Yamanaka, T. Sato, K. Nakagawa, K. Sawano, and Y. Shiraki The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Electron Mobility in Strained Si-nMOSFET Formed on Vicinal Si(110) Substrate” H. Nakazawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano, and Y. Shiraki The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Formation of Compressively Strained Si/Si1-xCx/Si(100) Heterostructure Using Gas-source MBE” H. Furukawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano, and Y. Shiraki The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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“Formation and Application of Compressively Strained SiGe/Si(110) Heterostructure” T. Obata, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano, and Y. Shiraki The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology |
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2011年 |
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2012年 |
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“Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy” K. Arimoto, H. Furukawa, J. Yamanaka, C. Yamamoto, K. Nakagawa, N. Usami, K. Sawano and Y. Shiraki |
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“Formation of compressively strained SiGe/Si(110) heterostructures and their characterization” K. Arimoto, T. Obata, H. Furukawa, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano and Y. Shiraki |
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“圧縮歪みSiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と素子応用” 小幡智幸、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎、白木靖寛 第58回応用物理学関係連合講演会 27p-KF-6 （神奈川工科大学） |
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“低速電子線誘起反応と低温トンネル反応によるa-SiCx:Hの極低温合成” 山田竜太郎、小林直樹、胡雪冰、佐藤哲也、有元圭介、山中淳二、中川清和 第59回応用物理学関係連合講演会 17p-A4-11 （早稲田大学） |
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“水素プラズマを用いた遷移金属加熱技術の開発(II)” 中村浩之、池田礼隆、川口裕樹、荒井哲司、高松利行、有元圭介、 山中淳二、佐藤哲也、中川清和 第59回応用物理学関係連合講演会 16a-A6-9 （早稲田大学） |
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“圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価” 酒井翔一郎、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、 星裕介、澤野憲太郎、白木靖寛 第59回応用物理学関係連合講演会 16a-F11-7 （早稲田大学） |
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“(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係” 中澤拓希、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆、星裕介、 澤野憲太郎、白木靖寛 第59回応用物理学関係連合講演会 16a-F11-8 （早稲田大学） |
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“SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定” 小幡智幸、古川洋志、有元圭介、山中淳二、中川清和、星裕介、 澤野憲太郎、白木靖寛 第59回応用物理学関係連合講演会 16a-F11-9 （早稲田大学） |
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“水素ラジカルによる選択過熱現象を利用したSi1-xGex薄膜形成技術” 荒井哲司、川口裕樹、中村浩之、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、 中川清和、高松利行、澤野憲太郎、星裕介、白木靖寛 第59回応用物理学関係連合講演会 16p-F11-3 （早稲田大学） |
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“Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価” 井門賢輔、小幡智幸、有元圭介、山中淳二、中川清和、星裕介、 澤野憲太郎、白木靖寛 第59回応用物理学関係連合講演会 17a-DP4-5 （早稲田大学） |
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2012年 |